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接合深さの英語
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英訳・英語 junction depth
「接合深さ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 223件
一定の深さを有する接合を再現性よく形成する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device in which a junction comprising a definite depth is formed with satisfactory reproducibility. - 特許庁
半導体領域の接合深さを測定する方法および装置例文帳に追加
METHOD AND DEVICE WHICH MEASURE JOINING DEPTH OF SEMICONDUCTOR REGION - 特許庁
この際、浮遊接合領域、抵抗接合領域及びチャンネル接合領域は同一な深さであることを特徴とする。例文帳に追加
In this case, the floating junction region, the resistive junction region, and the channel junction region have the same thicknesses. - 特許庁
半導体基板内に共通ソース領域、フローティング接合領域およびビットライン接合領域を具備し、前記共通ソース領域は接合深さが浅い高濃度不純物領域だけで構成され、フローティング接合領域およびビットライン接合領域の接合深さより浅い。例文帳に追加
The EEPROM is equipped with a common source region, a floating diffusion region, and a bit line diffusion region, and the common source region is composed of only a high-concentration impurity region which is shallow in the diffusion depth and is shallower than the diffusion depth of the floating diffusion region and the bit line diffusion region. - 特許庁
Ｎ型層のＰＮ接合形成部分は深さｄ１から当該深さｄ１よりも深いｄ２まで拡散されており、当該ＰＮ接合形成部分は深さｄ２においてＰ型ウェルとともにフォトダイオードのＰＮ接合を形成している。例文帳に追加
A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2. - 特許庁
第２のエクステンション領域８ｂは浅接合化不純物を含んでおり、第２のエクステンション領域８ｂの接合深さは第１のエクステンション領域８ａの接合深さよりも浅い。例文帳に追加
The second extension region 8b contains shallow-jujnction-formed impurities, and the junction depth of the second extension region 8b is shallower than that of the first extension region 8a. - 特許庁
チャネル層２６の最も深い接合深さａよりもトレンチ２９の深さ寸法ｂを浅く形成し、トレンチ２９は側面でチャネル層２６のｐｎ接合と接するように形成する。例文帳に追加
The trenches 29 are formed in a depth of (b), which is shallower than the deepest junction depth (a) of the channel layer 26, and the trenches 29 are formed so as to be in contact with a p-n junction of the channel layer 26. - 特許庁
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「接合深さ」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 223件
半導体装置において、UMOSＴｒｐのベース領域６は、ゲート電極４を埋設したトレンチ２底面よりも深く、かつ接合深さが均一な深さ方向接合面６１を備える。例文帳に追加
In a semiconductor device, the base region 6 of a UMOS Trp is made deeper than the bottom faces of trenches 2 containing embedded gate electrodes 4, and is provided with a depth-direction joint surface 61 having a uniform joint depth. - 特許庁
この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。例文帳に追加
By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow. - 特許庁
極浅接合の深さが精密制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device in which the depth of extremely shallow junction is controlled precisely, and to provide a method for manufacturing the same. - 特許庁
この後、イオン注入により第２の深さＢよりも浅い第３の深さＣにｐｎ接合１０４を形成する。例文帳に追加
Thereafter, a pn junction 104 is formed at a third depth C shallower than the second depth B by ion implantation. - 特許庁
接合深さが深くなるが抑制され、低抵抗化された低濃度不純物領域を備えた半導体装置とその製造方法を提供する。例文帳に追加
To provide a semiconductor device which has a low-density impurity region made low in resistance by suppressing an increase in junction depth, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device. - 特許庁
過度増速拡散を抑制することにより浅い接合深さを持つ半導体装置を実現できるようにする。例文帳に追加
To realize a semiconductor device having a shallow junction depth by suppressing excessive accelerated diffusion. - 特許庁
蓋の表面に凹部を形成したことにより、接合深さを小さくすることができ、接合に伴う熱歪の発生を低減できる。例文帳に追加
By forming the recessed part on the surface of the lid, the joint depth can be smaller and the heat distortion accompanying the joining process can be reduced. - 特許庁
接合ツールの被加工物への押付け挿入深さを検出することの出来る摩擦攪拌接合方法及びその装置を提供する。例文帳に追加
To provide a friction stirring-joining method and its apparatus with which a push-inserting depth of a joining tool into a material to be worked can be detected. - 特許庁
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junction depth
英和専門語辞典
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