junction depthとは 意味・読み方・使い方

To control the depth of a junction by suppressing excessively rate- increased diffusion when a shallow junction is formed in the manufacturing process of a MOSFET.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの製造過程で、シャロージャンクションを形成する場合に過度増速拡散を抑制して接合の深さを制御できるようにする。 - 特許庁

The trenches 29 are formed in a depth of (b), which is shallower than the deepest junction depth (a) of the channel layer 26, and the trenches 29 are formed so as to be in contact with a p-n junction of the channel layer 26.例文帳に追加

チャネル層２６の最も深い接合深さａよりもトレンチ２９の深さ寸法ｂを浅く形成し、トレンチ２９は側面でチャネル層２６のｐｎ接合と接するように形成する。 - 特許庁

To form an extension portion of an optimal junction depth even if a gate length is extremely short.例文帳に追加

ゲート長の短縮に対応して最適な接合深さのエクステンション部を形成できなくなってきている。 - 特許庁

By this oxidation, the depth of pn junction made between the P well 6 and the N-type region 6 becomes shallow.例文帳に追加

この酸化により、Ｐウェル５とＮ型領域６で形成されるｐｎ接合深さが浅くなる。 - 特許庁

The n-type well region 19 has a lower impurity concentration and a deeper junction depth than the n-type drain region 15, and the n-type low concentration impurity region 17 has a lower impurity concentration and a deeper junction depth than the n-type drain region 7, and has a higher impurity concentration and a shallower junction depth than the n-type well region 19.例文帳に追加

Ｎ型ウェル領域１９はＮ型ドレイン領域１５に比べて不純物濃度が低く接合深さが深く、Ｎ型低濃度不純物領域１７はＮ型ドレイン領域７に比べて不純物濃度が低く接合深さが深く、かつＮ型ウェル領域１９に比べて不純物濃度が高く接合深さが浅い。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the depth of extremely shallow junction is controlled precisely, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

極浅接合の深さが精密制御された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a semiconductor device having a shallow junction depth by suppressing excessive accelerated diffusion.例文帳に追加

過度増速拡散を抑制することにより浅い接合深さを持つ半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

A terminal end layer 21 larger in junction depth than the p-type base layer 14 is formed in the terminal end region.例文帳に追加

終端領域には、このｐ型ベース層１４より接合深さが大きい終端層２１が形成される。 - 特許庁