junction devicesとは 意味・読み方・使い方

A lock mechanism 30 is provided in a main body case 12 of a junction device 1, in which electronic devices 2 are detachably fitted and electrically connected, and the electronic devices 2 are electrically connected to other external devices.例文帳に追加

電子機器２が着脱可能に取り付けられて電気的に接続され、この電子機器２と他の外部機器とを電気的に接続する中継装置１の本体ケース１２内にロック機構３０を設けた。 - 特許庁

To provide an optical junction block whose alignment and optical coupling are easy and can be performed without expensive devices.例文帳に追加

調心及び光結合が容易であるとともに、これら調心及び光結合に高価な装置を必要としない光ジャンクションブロックを提供する。 - 特許庁

A junction substrate 200c connecting the signal lines between game devices provided on the game board and a back mechanism board is fitted on the back face of the game board.例文帳に追加

遊技盤と裏機構盤に設けられた各遊技装置間の信号線を中継する中継基板２００ｃが遊技盤の裏面に取り付けられている。 - 特許庁

To provide the junction structure of a structural member and a tabular member in which strength and fatigue performance are made largely better than conventional devices.例文帳に追加

耐力や疲労性能を従来よりも大幅に向上させることができる構造部材と板状の部材との接合構造体を提供する。 - 特許庁

By forming the pn junction or the pin junction of a diode, or the channel of a transistor in these thin lines, crystalline thin film semiconductor devices with identical characteristics can be manufactured nearly as same as those in the case where a single crystal is used.例文帳に追加

この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

Drain electrodes 17a, 17b of high withstand voltage NMOSFETs 12a, 12b, which are level shift devices, are provided inside the high withstand voltage junction terminal structure 34, and a gate electrode and a source electrode of the NMOSFETs are provided outside the high withstand voltage junction terminal structure 34.例文帳に追加

レベルシフト素子である高耐圧ＮＭＯＳＦＥＴ１２ａ，１２ｂのドレイン電極１７ａ，１７ｂを高耐圧接合終端構造３４の内側に設けるとともに、そのゲート電極およびソース電極を高耐圧接合終端構造３４の外側に設ける。 - 特許庁

In the soldering process, the semiconductor devices 12 are each arranged through a soldering sheet 33 on a junction provided on the circuit board 11, and a weight 35 is placed so as to stride over at least three semiconductor devices 12 which are not arranged on a straight line.例文帳に追加

半田付け工程として、回路基板１１上に設けられた接合部上に半田シート３３を介して各半導体素子１２を配置するとともに、一直線上に無い少なくとも３個の半導体素子１２に跨った状態で錘３５を載置する。 - 特許庁

To obtain a tape carrier for semiconductor devices which excels in both its wire-bonding quality and its junction quality to solder balls, by subjecting its conductive pattern layer to an optimal electroless plating.例文帳に追加

導電パターン層に最適の無電解めっきを施すことで、ワイヤボンディング性及びはんだボール接合性の双方に優れた半導体装置用テープキャリアを得る。 - 特許庁