junction diodesとは 意味・読み方・使い方

In a detector 500, a plurality of PN junction diodes 601 connected in series is inserted in a feedback loop of a differential amplifier 603.例文帳に追加

検出器５００では、直列接続された複数のＰＮ接合ダイオード６０１が差動増幅器６０３の帰還ループ内に挿入される。 - 特許庁

An on-resistor of the pass transistor is replaced with a resistor R, while a P-N junction part of the pass transistor is replaced with capacitor C1 and C2 and diodes D1 and D2.例文帳に追加

パストランジスタのＯＮ抵抗を抵抗Ｒで置き換えるとともに、該パストランジスタのＰＮ接合部をコンデンサＣ１、Ｃ２およびダイオードＤ１、Ｄ２で置換する。 - 特許庁

In one embodiment, back-to-back P-N junction diodes are formed by implanting ions in zones arranged among the adjacent transducer elements.例文帳に追加

１つの実施例において、隣接するトランスデューサ素子間に配置された区域にイオン注入することによりバックツーバックｐｎ接合ダイオードが形成される。 - 特許庁

An electrostatic protective circuit comprising PN junction diodes (DIA1 and DIA2) and a diffusion resistor (R1) is formed to prevent electrostatic discharge damage to a gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜の静電破壊を防止するために、ＰＮ接合ダイオード（ＤＩＡ１，ＤＩＡ２）と、拡散抵抗（Ｒ１）とで構成される静電保護回路を形成する。 - 特許庁

The sum of backward direction conducting voltages of the Zener diodes ZD1, ZD2 and ZD3 is set to a value smaller than the backward direction conducting voltage of the rectifying junction diode 71, and the sum of forward direction threshold voltages is set to a value larger than the forward direction threshold voltage of the rectifying junction diode 71.例文帳に追加

ツェナーダイオードＺＤ１、ＺＤ２、ＺＤ３の逆方向導通電圧の合計は整流用接合ダイオード７１のそれよりも低く、順方向しきい値電圧の合計は整流用接合ダイオード７１のそれより大きい設定される。 - 特許庁

This is made into a circuit configuration that the surge current is led to the ground E from both of the common junctions between the two pieces of Zener diodes 3 and the common junction between the two pieces of surge absorbing elements 4.例文帳に追加

２個のツェナーダイオード３の共通接続接点と、２個のサージ吸収素子４の共通接続接点の双方からサージ電流を接地Ｅへと通じる回路構成とする。 - 特許庁

Further, in a package P for light emitting diodes, a window frame 1 having the abovementioned constitutions and a substrate 2 for mounting thereon a semiconductor light emitting element LE1 are integrated with each other by joining them to each other via a junction layer 3.例文帳に追加

発光ダイオード用パッケージＰは、上記の構成を有する窓枠１を、半導体発光素子ＬＥ１を搭載するための基体２と、接合層３を介して接合、一体化する。 - 特許庁

It prevents local yield from being generated on a chip side surface where a p-n junction interface is exposed, thus realizing semiconductor diodes 10a and 10b having the stable desired breakdown voltage.例文帳に追加

ｐｎ接合界面が露呈するチップ側面で局所的な降伏が発生するのを防止して、安定した所望の降伏電圧を有する半導体ダイオード１０ａ，１０ｂを実現する。 - 特許庁