板状成長の英語

成長基板に成長したシート状基板をその成長基板から自動的に剥離するシート状基板剥離装置と、シート状基板を成長基板から剥離するシート状基板剥離方法を提供する。例文帳に追加

To provide a sheet-form substrate separating device which automatically separates a sheet-form substrate grown on a growth substrate from the growth substrate, and to provide a sheet-form substrate separating method for separating the sheet-form substrate from the growth substrate. - 特許庁

成長用基板１上に形成される選択成長用マスク１１は、円形状又は多角形状の形状を有しており、選択成長用マスク１１の周囲が成長用基板１で囲まれた島状に複数形成されている。例文帳に追加

The plurality of masks 11 for selective growth, which are formed on the substrate 1 for growth, have a circular or polygonal shape and also have their peripheries formed in an island shape enclosed with the substrate 1 for growth. - 特許庁

多孔質成長基板クリーニング装置およびシート状基板作製方法例文帳に追加

POROUS GROWTH SUBSTRATE CLEANING DEVICE, AND SHEET-SHAPED SUBSTRATE FABRICATING METHOD - 特許庁

成長基板或いは成長粒子発生装置４の一方を、成長粒子６の飛翔速度の１０％以上の速度で相対的に運動させた状態で成長層３を成長させる。例文帳に追加

A growth layer 3 is grown while relatively moving either of the substrate for growth or a device for generating particles for growth 4 with a speed of at least 10% of the flight speed of particles 6 for growth. - 特許庁

基板上の管状単結晶成長方法及び基板上に形成された管状単結晶例文帳に追加

TUBULAR SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD ON SUBSTRATE AND TUBULAR SINGLE CRYSTAL GROWN ON SUBSTRATE - 特許庁

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。例文帳に追加

In the method for manufacturing the sheet-like silicon comprising bringing a substrate having a growth surface into contact with a silicon melt and growing silicon on the substrate, the sheet-like silicon almost free from irregularity in quality can be obtained by dividing the substrate having the growth surface for the sheet-like silicon. - 特許庁

成長面を有する基板を、シリコン融液に接触させ、シリコンを基板に成長させることで、シリコンで形成された板を得る板状シリコンの製造方法において、板状シリコンの成長面を有する基板を分割することで、品質のばらつきの少ない板状シリコンを得る。例文帳に追加

In the method of manufacturing the plate-like silicon by bringing a substrate having a growing plane into contact with silicon molten liquid to grow silicon on the substrate, the plate-like silicon having small fluctuation of quality is obtained by dividing the substrate having the growing plane of the plate-like silicon. - 特許庁