根二乗平均の英語

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side. - 特許庁

また、本発明に係るアルミニウム支持体は、上記の特徴に加えて、表面の三次元二乗平均平方根偏差が０．７〜０．９μｍであれば更に好ましい。例文帳に追加

Further, the support preferably has a surface three-dimensional route-mean-square deviation of 0.7 to 0.9 μm in addition to the above. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer. - 特許庁

ガラス基板１の表面２ａおよび裏面２ｂと、その両面２ａ、２ｂの外周端相互間に存する端面３との間に存する少なくとも一方の境界部に、面取り面４を形成すると共に、その面取り面４における二乗平均平方根粗さＲｑを、０．３μｍ以下とする。例文帳に追加

A chamfered surface 4 is formed on at least one of boundary sections between each of the front surface 2a and the rear surface 2b of a glass substrate 1, and the edge surface 3 thereof between the outer circumferential ends of the both surfaces 2a, 2b, and the root-mean-square roughness Rq of the chamfered surface 4 is set to 0.3 μm or less. - 特許庁

光誘導親水性被覆は５０Å〜５００Åの厚さ、５未満、好ましくは２未満の根二乗平均粗さ、及び３．０×１０^−３ｃｍ^−１分^−１±２．０×１０^−３ｃｍ^−１分^−１より小さな光触媒活性度を有することができる。例文帳に追加

The photo-induced hydrophilic coating can have a thickness of 50-500 Å, a root mean square roughness of <5, preferably <2, and a photocatalytic activity of less than 3.0×10^-3 cm^-1min^-1 ± 2.0×10^-3 cm^-1min^-1. - 特許庁

電源１０４からの入力電圧に基づいて二乗平均平方根（ＲＭＳ）パルス幅変調（ＰＷＭ）制御信号１０８を生成し、ＲＭＳ ＰＷＭ制御信号に応じてスイッチ１１０を制御し、スイッチの制御に従って電源からヒータ抵抗に電力供給する。例文帳に追加

A root mean square (RMS) pulse width modulation (PWM) control signal 108 is generated based upon an input voltage from a power supply 104, a switch 110 is controlled in accordance with the RMS PWM control signal, and electric power is supplied from the power supply to the heater resistor in accordance with control by the switch. - 特許庁

基板は対向する一対の主表面を有し、前記主表面の表面粗さがＲＭＳ（二乗平均平方根粗さ）で０.４ｎｍ以下であり、且つ、両主表面の表面粗さが異なるように構成される電子デバイス用基板とした。例文帳に追加

The substrate for an electronic device has a pair of main surfaces opposite to each other, the surface roughness of the main surface is 0.4 nm or less at RMS (root mean square roughness), and both main surfaces are different in surface roughness. - 特許庁