「根二乗平均」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

再生信号から得られたＯｎピクセルとＯｆｆピクセルの輝度値分布において、標準偏差の二乗和平方根を平均値の差分で除算した値を評価指標とする。例文帳に追加

In luminance value distribution of On-pixels and Off-pixels obtained from a reproduced signal, a value obtained by dividing root sum square of standard deviation by difference between average values is used as the evaluation index. - 特許庁

この方法では、二乗平均平方根（ＲＭＳ）表面粗さσ_ｓを有する少なくとも一つの粗面化アライメントマークがウエハ上に形成される。例文帳に追加

The method includes forming on a wafer at least one surface-roughened alignment mark having a root-mean-square (RMS) surface roughness σ_s. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side. - 特許庁

また、本発明に係るアルミニウム支持体は、上記の特徴に加えて、表面の三次元二乗平均平方根偏差が０．７〜０．９μｍであれば更に好ましい。例文帳に追加

Further, the support preferably has a surface three-dimensional route-mean-square deviation of 0.7 to 0.9 μm in addition to the above. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer. - 特許庁

ガラス基板１の表面２ａおよび裏面２ｂと、その両面２ａ、２ｂの外周端相互間に存する端面３との間に存する少なくとも一方の境界部に、面取り面４を形成すると共に、その面取り面４における二乗平均平方根粗さＲｑを、０．３μｍ以下とする。例文帳に追加

A chamfered surface 4 is formed on at least one of boundary sections between each of the front surface 2a and the rear surface 2b of a glass substrate 1, and the edge surface 3 thereof between the outer circumferential ends of the both surfaces 2a, 2b, and the root-mean-square roughness Rq of the chamfered surface 4 is set to 0.3 μm or less. - 特許庁

光誘導親水性被覆は５０Å〜５００Åの厚さ、５未満、好ましくは２未満の根二乗平均粗さ、及び３．０×１０^−３ｃｍ^−１分^−１±２．０×１０^−３ｃｍ^−１分^−１より小さな光触媒活性度を有することができる。例文帳に追加

The photo-induced hydrophilic coating can have a thickness of 50-500 Å, a root mean square roughness of <5, preferably <2, and a photocatalytic activity of less than 3.0×10^-3 cm^-1min^-1 ± 2.0×10^-3 cm^-1min^-1. - 特許庁

電源１０４からの入力電圧に基づいて二乗平均平方根（ＲＭＳ）パルス幅変調（ＰＷＭ）制御信号１０８を生成し、ＲＭＳ ＰＷＭ制御信号に応じてスイッチ１１０を制御し、スイッチの制御に従って電源からヒータ抵抗に電力供給する。例文帳に追加

A root mean square (RMS) pulse width modulation (PWM) control signal 108 is generated based upon an input voltage from a power supply 104, a switch 110 is controlled in accordance with the RMS PWM control signal, and electric power is supplied from the power supply to the heater resistor in accordance with control by the switch. - 特許庁

基板は対向する一対の主表面を有し、前記主表面の表面粗さがＲＭＳ（二乗平均平方根粗さ）で０.４ｎｍ以下であり、且つ、両主表面の表面粗さが異なるように構成される電子デバイス用基板とした。例文帳に追加

The substrate for an electronic device has a pair of main surfaces opposite to each other, the surface roughness of the main surface is 0.4 nm or less at RMS (root mean square roughness), and both main surfaces are different in surface roughness. - 特許庁

ガラス基板１の表面２ａおよび裏面２ｂと、その両面２ａ、２ｂの外周端相互間に存する端面３との間に存する少なくとも一方の境界部に、面取り面４を形成すると共に、その面取り面４における粗さ曲線の二乗平均平方根傾斜ＲΔｑを、０．１０以下とする。例文帳に追加

A chamfered surface 4 is formed on at least one of boundary sections between each of the front surface 2a and the rear surface 2b of a glass substrate 1, and the edge surface 3 thereof between the outer circumferential ends of the both surfaces 2a, 2b, and the root-mean-square gradient RΔq of a roughness curve of the chamfered surface 4 is set to ≤0.10. - 特許庁

撮影データは撮影データ記憶部２１に記憶され、画像データ修正部２７によりノイズ除去等の修正処理が施され、特徴情報生成部２９は、例えば多段階のウェーブレット多重解像度解析を行い、各成分の二乗平均平方根を取ることにより得られる対象物３の影の特徴を示す特徴情報を生成する。例文帳に追加

Photographed data are stored in a photographed data storage part 21, and correction processing such as noise removal is applied by an image data correction part 27, and a characteristic information generation part 29 performs, for example, multi-stage wavelet multiple resolution analysis, and generates characteristic information showing a characteristic of the object 3 shadow acquired by taking a root mean square of each component. - 特許庁

少なくとも感熱記録層と、その表面に積層された電離放射線硬化性樹脂の架橋硬化物からなる透明保護層とからなる感熱記録シートにおいて、該透明保護層の表面のＪＩＳ−Ｂ−０６０１で規定する二乗平均平方根粗さが０．２〜１．２μｍであることを特徴とする感熱記録シートである。例文帳に追加

In the thermal recording sheet comprising at least thermal recording layer and a transparent protective layer consisting of the cross-linked cured substance of an ionizing radiation-curable resin laminated thereon, the root mean square roughness defined by JIS-B-0601 of the surface of the transparent protective layer is 0.2 to 1.2 μm. - 特許庁

透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、 前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする。例文帳に追加

The mask blank for manufacturing an FPD device includes at least one of a light shielding film, and a semitransmitting film having a function of controlling the transmitted light quantity on a light transmitting substrate, wherein the light shielding film and the semitransmitting film show a square root average roughness Rq of 2.0 nm or less on the film surface. - 特許庁

芯金の周囲に弾性層を形成し、この弾性層上に直接又は中間層を介して表面樹脂層を形成してなる電子写真用弾性ローラにおいて、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００１）に規定された輪郭曲線の算術平均高さ（Ｒａ）、輪郭曲線の最大高さ（Ｒｚ）、輪郭曲線のスキューネス（Ｒｓｋ）及び輪郭曲線の二乗平均平方根傾斜（ＲΔｑ）が下記の通りの表面性状を有することを特徴とする電子写真用弾性ローラを提供する。例文帳に追加

The electrophotographic elastic roller is formed by forming an elastic layer around a metal core and forming a surface resin layer on the elastic layer directly or across an intermediate layer. - 特許庁