格子不整合の英語

強誘電体層を構成する結晶との格子不整合がきわめて少ない電極を形成する。例文帳に追加

To provide a method of forming an electrode having very small lattice mismatching with the crystal constituting a ferrorelectric layer. - 特許庁

電極と強誘電体層との格子不整合の少ないキャパシタを提供する。例文帳に追加

To provide a capacitor in which lattice mismatch is suppressed between an electrode and a ferroelectric layer. - 特許庁

このようにして、ゲート絶縁膜とＺｎＯ系半導体との格子不整合を緩和する。例文帳に追加

Thus, a lattice mismatch between the gate insulation film and the ZnO semiconductor can be reduced. - 特許庁

格子不整合によって発生する欠陥密度を減少させ、欠陥分布を分散させることができる。例文帳に追加

The defect density generated by a lattice mismatching is reduced, and the defect distribution can be distributed. - 特許庁

ＧａＩｎＮＡｓＰ、ＧａＩｎＮＡｓＳｂ或いはＧａＩｎＮＡｓＰＳｂはＩｎＰ基板と格子整合（不整合度±０．２％以下）するので格子定数を徐々に変化させるグレーディッド層が不要である。例文帳に追加

Since lattice matching can be attained between the GaInNAsP, GaInNAsSb or GaInNAsPSb and the InP substrate (degree of mismatch is ±0.2% or less), a graded layer for varying the lattice constant gradually is not required. - 特許庁

ＩＩＩ−Ｖ族量子ドットを、この格子定数と低格子不整合率の格子定数であるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体上に形成する。例文帳に追加

To form group III-V quantum dots on a group III-V compound semiconductor having a lattice constant in a low lattice mismatching rate to the lattice constant of the group III-V quantum dots. - 特許庁

シリコンの格子定数に対して、ＢａＯの格子定数は１．８％の差（不整合率）があり、この値は、シリコンとＭｇＯの格子定数の差と比較して１／５程度である。例文帳に追加

The lattice constant of BaO has a difference (mismatch rate) of 1.8% from the lattice constant of the silicon, and the value is about 1/5 compared to a difference in the lattice constant between the silicon and MgO. - 特許庁

沈降層、隆起層の膜厚は３ｎｍ〜１０ｎｍで、超格子全体の厚みは２μｍ〜７μｍで、超格子の構成膜のＩｎＰとの格子不整合は±０．２％以下とする。例文帳に追加

The sink layer and the raised layer each has a film thickness of 3 nm to 10 nm, the superlattice as a whole has a thickness of 2 μm to 7 μm, and lattice mismatching between the component films of the superlattice and the InP is within a range of ±0.2%. - 特許庁