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照光式回転型可変抵抗器例文帳に追加
LIGHTED ROTARY VARIABLE RESISTOR - 特許庁
照光式回転型可変抵抗器例文帳に追加
ILLUMINATION-TYPE ROTARY VARIABLE RESISTOR - 特許庁
第１の参照抵抗素子Ｒｒ１は、第１の抵抗値に設定され、第２の参照抵抗素子Ｒｒ２は、第１の抵抗値よりも低い第２の抵抗値に設定され、参照抵抗値は、第１の参照抵抗素子と第２の参照抵抗素子とを接続することにより生成した第１の抵抗値と第２の抵抗値との間の抵抗値である。例文帳に追加
The first reference resistance elements Rr1 are set at a first resistance value, the second reference resistance elements Rr2 are set at a second resistance value lower than the first resistance value, and the reference resistance value is a resistance value between the first resistance value and the second resistance value generated by connecting the first reference resistance elements and the second reference resistance elements. - 特許庁
直列に接続された抵抗調整部３と参照抵抗素子４と可変抵抗素子５および、可変抵抗素子６と参照抵抗素子と抵抗調整部とに電圧が印加される。例文帳に追加
A voltage is impressed to a resistance regulation part 3, the reference resistance element 4 and the variable resistance element 5 connected in series, and the variable resistance element 6, the reference resistance element and a resistance regulation part. - 特許庁
ビーム照射加熱抵抗変化測定装置例文帳に追加
MEASURING DEVICE FOR BEAM IRRADIATION HEATING RESISTANCE CHANGE - 特許庁
メモリセルは可変抵抗素子であるデータ記憶抵抗素子を有し、参照抵抗回路は、それぞれがデータ記憶抵抗素子と同じ構造を有する可変抵抗素子である第１の参照抵抗素子Ｒｒ１及び第２の参照抵抗素子Ｒｒ２を有している。例文帳に追加
The memory cells have data storage resistance elements that are variable resistance elements, and the reference resistance circuit has first reference resistance elements Rr1 and second reference resistance elements Rr2 that are variable resistance elements each having the same structure as the data storage resistance elements. - 特許庁
抵抗変化記憶素子を用いた記憶装置及び同装置の参照抵抗値決定方法例文帳に追加
STORAGE DEVICE USING RESISTANCE CHANGE STORAGE ELEMENT AND METHOD FOR DETERMINING REFERENCE RESISTANCE VALUE OF THE DEVICE - 特許庁
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Ｒｒは参照抵抗であり、他の一方のＲｍが高抵抗（論理値１）と低抵抗（論理値０）との間を変化する。例文帳に追加
Rr is a reference resistance and the other Rm changes between a high resistance (logical value 1) and a low resistance (logical value 0). - 特許庁
液温参照抵抗３５、流量検出抵抗３６及び加熱抵抗３７は、微細流路を覆うフィルム上に設けられている。例文帳に追加
A liquid temperature referring resistance 35, a flow rate detection resistance 36, and the heating resistance 37 are formed on a film covering the fine flow channel. - 特許庁
ＬＥＤ照明装置用の低熱抵抗配線基板およびＬＥＤ照明装置例文帳に追加
LOW-HEAT-RESISTANCE WIRING BOARD FOR LED LIGHTING DEVICE, AND LED LIGHTING DEVICE - 特許庁
基板の表面に、磁気抵抗効果素子層１１と参照抵抗層２１とが直列に接続されて形成され、参照抵抗層２２と磁気抵抗効果素子層１２とが直列に接続されて形成されている。例文帳に追加
On the surface of a substrate, a magnetoresistance effect element layer 11 and a reference resistance layer 21 are connected in series and formed thereon, and a reference resistance layer 22 and a magnetoresistance effect element layer 12 are connected in series and formed thereon. - 特許庁
第１の抵抗素子の抵抗値Ｒ_１と、第２の抵抗素子の抵抗値Ｒ_２と、第３の抵抗素子の抵抗値Ｒ_３と、定電流電源から出力される参照電流Ｉ_ｒｅｆと、電力変換部から出力される出力電圧Ｖ_ｏｕｔとは、数式（１）を満たす。例文帳に追加
The resistance value R_1 of the first resistor, the resistance value R_2 of the second resistor, the resistance value R_3 of the third resistor, the reference current I_ref output from the constant-current power supply, and the output voltage V_out output from the power conversion unit satisfy the formula (1). - 特許庁
半導体チップ２５に、レーザ光の照射により抵抗率が変化する材料で構成された可変抵抗８ｃを少なくとも一つ含む複数の抵抗体の並列接続構造を有する調整用抵抗７を形成し、可変抵抗８ｃにレーザ光照射をおこなうことにより可変抵抗８ｃの抵抗値を変化させる。例文帳に追加
A semiconductor chip 25 is equipped with an adjusting resistor 7 of parallel connection structure composed of a plurality of resistors containing at least a variable resistor 8c formed of material that varies in resistivity by irradiation with light, and the variable resistor 8c is varied in resistance by irradiating it with laser rays. - 特許庁
本発明は、抵抗値を可逆的に調整可能な材料を用いた整合レジスタの抵抗値を、参照レジスタの抵抗値に一致させることができる可逆的抵抗値調整回路を提供する。例文帳に追加
To provide a reversible resistance adjusting circuit capable of matching the resistance of a matching resistor, using a material that has reversibly adjustable resistance with that of a reference resistor. - 特許庁
金属薄膜抵抗体へのレーザ光照射に起因する発熱により金属薄膜抵抗体と金属薄膜抵抗体の電気的接続をとるための金属材料との接触抵抗が変化するのを低減する。例文帳に追加
To reduce the change of the contact resistance between a metal thin film resistor and a metal material for carrying out the electric connection of the metal thin film resistor due to the heat generation caused by laser beam irradiation to the metal thin film resistor. - 特許庁
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