異方性半導体の英語

少なくともIIIＡ族元素から選択される１以上の元素とＶＡ族元素から選択される１以上の元素とを含む窒化物半導体層２１と、窒化物半導体層とは極性が異なり且つ異種の半導体２５と、異種の半導体と窒化物半導体との間に設けられる発光層２４と、を有し、異種の半導体と窒化物半導体層との互いの半導体から発光層に電子あるいは正孔を注入させて発光することを特徴とする半導体発光素子２６、半導体複合素子、及び半導体発光素子の製造方法である。例文帳に追加

Electrons or electron holes are injected from the dissimilar semiconductor or nitride semiconductor layer to emit light. - 特許庁

半導体基板上に形成された、ｐ型窒化物半導体層と、量子井戸構造を含む活性層と、ｎ型窒化物半導体層と、を含み、活性層は、互いに組成の異なる、第１の窒化物半導体層と、第２の窒化物半導体層と、第３の窒化物半導体層と、を含んでいる窒化物半導体発光素子とその窒化物半導体発光素子の製造方法である。例文帳に追加

This presents a nitride semiconductor light emitting device that includes a p-type nitride layer, an active layer including a quantum well structure, and an n-type nitride semiconductor layer all formed on a semiconductor substrate, wherein the active layer includes a first nitride semiconductor layer, a second nitride semiconductor layer, and a third nitride semiconductor layer whose compositions are different from one another, as well as its manufacturing method. - 特許庁

異なる特性の半導体基体に対し、半導体基体毎の調整時間を必要とせずに歩留まり良く処理可能で、高い温度制御性を有する半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor manufacturing device and a semiconductor manufacturing method having high controlability to temperature, and capable of processing without requiring different adjustment time for every semiconductor with different characteristics, resulting in a sufficient yield. - 特許庁

基板上に互いに特性が異なる複数の半導体素子を有する半導体装置を、制御性高くかつ低コストで製造することができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor elements of different characteristics on a substrate with higher controllability and reduced cost. - 特許庁

半導体装置及びその検査方法に関し、半導体装置の各種特性値の測定管理によって半導体装置の異常を効率よく検知しうる半導体装置の構造及び検査方法を提供する。例文帳に追加

To provide a structure of a semiconductor device and inspection method thereof, for efficiently detecting a failure of the semiconductor device by a measurement and management of various kinds of characteristic values of the semiconductor device. - 特許庁

異方導電性フィルム付き半導体ウエハ及びその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR WAFER WITH ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR - 特許庁

異方導電性フィルム付き半導体ウエハの製造方法例文帳に追加

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER WITH ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM - 特許庁

半導体装置とその検査方法と異方性導電フィルム例文帳に追加

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD OF INSPECTING THE SAME, AND ANISOTROPIC CONDUCTIVE FILM - 特許庁