相対成長速度の英語

成長基板或いは成長粒子発生装置４の一方を、成長粒子６の飛翔速度の１０％以上の速度で相対的に運動させた状態で成長層３を成長させる。例文帳に追加

A growth layer 3 is grown while relatively moving either of the substrate for growth or a device for generating particles for growth 4 with a speed of at least 10% of the flight speed of particles 6 for growth. - 特許庁

導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。例文帳に追加

The semiconductor device manufacturing method comprises energizing between the silicon substrate and an anode electrode with rotating the silicon substrate at a speed such that a relative speed between the silicon substrate and the plating liquid becomes 30 m/min and under when making a conductive film grow. - 特許庁

シリコン選択エピタキシャル条件を維持した状態で、基板平面方向のシリコン成長速度以下の速度でシリコン選択エピタキシャル条件領域を相対的に移動させることにより、基板にシリコン膜を成長させる。例文帳に追加

Thus, a silicon film is grown by relatively moving the silicon selection epitaxial condition area, at a rate which is not more than silicon growth rate in the direction of a substrate plane, in a state where the silicon selection epitaxial conditions are maintained. - 特許庁

対向ターゲットを用いたスパタッリングによって下地電極上の結晶方位に倣ってエピタキシャル成長した巨大磁気抵抗材料薄膜を成膜する際に、少なくとも２段階のスパッタリング工程を用い、第１段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に遅くし、その後の段階のスパッタリング工程で成膜速度を相対的に速くして薄膜を形成する。例文帳に追加

When depositing the colossal magneto-resistive material thin film which has epitaxially grown after crystal orientation on a base electrode by sputtering using facing targets, a sputtering process having at least two steps are used, a deposition rate is relatively slowed down in the sputtering process in a first step, and the deposition rate is relatively accelerated in the sputtering process in later steps to form the thin film. - 特許庁