相対抵抗の英語

バランス抵抗素子のペアにおいて、抵抗素子間での高い相対精度が実現可能な半導体集積回路のレイアウト方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for laying out a semiconductor integrated circuit capable of materializing a high relative accuracy between resistance elements in a pair of balance resistance elements. - 特許庁

摩擦抵抗発生機構７は、フライホイール２１とクランクシャフト２とが相対回転すると摩擦抵抗を発生する。例文帳に追加

The frictional resistance generating mechanism 7 generates frictional resistance when the flywheel 21 and the crankshaft 2 relatively rotate. - 特許庁

前記アクチュータ（１）は、所望の抵抗のバルブを選択すべく、回転動作によって、抵抗装置（３）に対する選択手段（２）の相対位置を変化させる。例文帳に追加

The actuator (1) rotates to change the relative position of selection means (2) to the resistor means (3). - 特許庁

出力電流を電圧に変換するための抵抗と抵抗R１の相対精度をとることで出力電圧の変動を抑止できる。例文帳に追加

The relative precision between a resistor for converting the output current to voltage and the resistor R1 is secured, and hence variations in the output voltage are suppressed. - 特許庁

簡素な構成により台車の車体に対する相対旋回角に応じた旋回抵抗を付与する旋回抵抗装置を提供する。例文帳に追加

To provide a turning resistance device in a simple configuration, which gives turning resistance according to a relative turning angle of a truck to a vehicle body. - 特許庁

ペダルアームの回動に応答して相対抵抗を変化させるための電気抵抗体装置を、ハウジングに配置する。例文帳に追加

An electric resistor unit for changing relative resistance in response to rotation of a pedal arm is disposed in the housing. - 特許庁

抵抗Ｒ２の両端に生成されるレベルシフト量ΔＥは、電流源回路１１の出力電流値を決定する抵抗Ｒ１の抵抗値とレベルシフトを行う抵抗Ｒ２の抵抗値との相対比（Ｒ２／Ｒ１）に応じた値となる。例文帳に追加

The amount of the level shifts ΔE that is generated across a resistor R2 becomes a value corresponding to the relative ratio of the resistance value of a resistor R1 that determines an output current value of a current source circuit 11 to that of the resistor R2 that performs the level shift (R2/R1). - 特許庁

抵抗ゾーンは、第１及び第２のパターン間に延びる複数の分離した抵抗性通路を含んでおり、抵抗性通路は、抵抗ゾーンの残りの部分よりも相対的に低い電気抵抗値を有する１または複数の材料を含んでいる。例文帳に追加

The resistive zone includes a plurality of discrete resistive pathways that extend between the first and second patterns, and the resistive pathways include one or more materials that have a relatively lower electrical resistivity value than the remainder of the resistive zone. - 特許庁