硫化物薄膜の英語

この硫化物薄膜は太陽電池の光吸収層として用いることができる。例文帳に追加

The sulfide thin film can be used for a ligh-absorbing layer of a solar cell. - 特許庁

簡易迅速かつ低廉無毒な薄膜堆積プロセスにより硫化物薄膜を製造する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a sulfide thin film by a simple, quick, inexpensive, and atoxic thin film deposition process. - 特許庁

または、前記酸化処理後または酸化処理と同時に、硫化物アニオン溶液または硫化水素ガスと接触させることにより金属硫化物を形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法である。例文帳に追加

Otherwise, in the method for forming metal compound thin film, metal sulfide is preferably formed by being brought into contact with a sulfide anion solution or hydrogen sulfide gas after the oxidation treatment or simultaneously with the oxidation treatment. - 特許庁

粒子径および粒径分布が制御された金属硫化物微粒子もしくは緻密な金属硫化物薄膜を優れた生産性で得ることができ、しかも各種金属に適用可能な、金属硫化物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing metal sulfide by which metal sulfide fine particles regulated in a particle diameter and a particle diameter distribution or a dense metal sulfide thin film can be obtained at excellent productivity, and which is applicable to various metals as well. - 特許庁

母体材料がアルカリ土類硫化物で、さらに発光中心を含有する蛍光体薄膜であって、この蛍光体薄膜の膜厚が５０nm〜３００nmの範囲である構成の蛍光体薄膜とした。例文帳に追加

The phosphor thin film comprises a parent material of an alkaline earth metal sulfide, contains a luminescent center, and has a film-thickness in the range of 50 nm-300 nm. - 特許庁

薄膜太陽電池の光吸収層などに使用することができ、しかも高い変換効率を有する硫化物系化合物半導体を提供すること。例文帳に追加

To provide a sulfide compound semiconductor of high conversion efficiency, usable for a photoabsorption layer of a thin film solar cell or the like. - 特許庁

本発明は、一定ガス圧力の二硫化炭素等の硫化ガス雰囲気中で、紫外領域で応答する光触媒の酸化チタン薄膜上にレーザー光をパルス状に照射し、レーザーアブレーション法による部分硫化を施すことにより、部分硫化チタン酸化物の可視光応答型光触媒薄膜ならびにその製造方法を得ることができる。例文帳に追加

The visible light-respondent photocatalyst thin film is manufactured by using the titanium oxide partially sulfurized by the laser abrasion method, namely, by pulsatively irradiating a thin film of a titanium oxide photocatalyst responding to the light of an ultraviolet region with a laser beam in an atmosphere of a sulfurizing gas such as carbon disulfide having constant gas pressure. - 特許庁

あるいは、珪化化合物となる金属化学種を同時にスパッタ堆積し、これを熱処理することで金属珪化物薄膜を基材表面に固定化し、この表面に硫化物薄膜を固定化させる。例文帳に追加

Alternatively, metal chemical species to become a silicification compound are simultaneously sputtered and deposited and are heat-treated to fix a metal silicide thin film on a surface of a base material, and a sulfide thin film is fixed on a surface thereof. - 特許庁