sulfide thin filmとは 意味・読み方・使い方

Alternatively, the nickel and silicon are simultaneously sputtered and deposited, metal chemical species to become a sulfide compound or a sulfide thereof is deposited, and they are heated in a sulfur atmosphere to simultaneously fix the NiSi_2 thin film and the sulfide thin film of a laminate thin film on the surface of the base material.例文帳に追加

あるいは、ニッケルとシリコンを同時にスパッタ堆積し、さらに硫化化合物となる金属化学種またはこれらの硫化物を堆積し、これを硫黄雰囲気下にて加熱することにより基材表面にＮｉＳｉ_２と硫化物の積層薄膜を同時に固定化させる。 - 特許庁

The phosphor is a thin film phosphor in which fine particles of a sulfide are finely dispersed in an amorphous oxide.例文帳に追加

硫化物の微粒子がアモルファス酸化物中に微細分散した薄膜蛍光体である。 - 特許庁

The sulfide thin film can be used for a ligh-absorbing layer of a solar cell.例文帳に追加

この硫化物薄膜は太陽電池の光吸収層として用いることができる。 - 特許庁

THIN FILM-LIKE PHOTOCATALYST, FORMING METHOD THEREOF, METHOD OF TREATING HYDROGEN SULFIDE USING THE THIN FILM- LIKE PHOTOCATALYST, AND METHOD OF MANUFACTURING HYDROGEN例文帳に追加

薄膜状光触媒、その作製方法、およびその薄膜状光触媒を用いた硫化水素の処理方法と水素の製造方法 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a sulfide thin film by a simple, quick, inexpensive, and atoxic thin film deposition process.例文帳に追加

簡易迅速かつ低廉無毒な薄膜堆積プロセスにより硫化物薄膜を製造する方法を提供する。 - 特許庁

Otherwise, in the method for forming metal compound thin film, metal sulfide is preferably formed by being brought into contact with a sulfide anion solution or hydrogen sulfide gas after the oxidation treatment or simultaneously with the oxidation treatment.例文帳に追加

または、前記酸化処理後または酸化処理と同時に、硫化物アニオン溶液または硫化水素ガスと接触させることにより金属硫化物を形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing metal sulfide by which metal sulfide fine particles regulated in a particle diameter and a particle diameter distribution or a dense metal sulfide thin film can be obtained at excellent productivity, and which is applicable to various metals as well.例文帳に追加

粒子径および粒径分布が制御された金属硫化物微粒子もしくは緻密な金属硫化物薄膜を優れた生産性で得ることができ、しかも各種金属に適用可能な、金属硫化物の製造方法を提供する。 - 特許庁

When a metal sulfide epitaxial thin film is formed directly on the Si substrate surface, preferably the sulfide be sulfur-terminated and a metal thin film of the platinum family be inserted on the buffer layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板直上に硫化物のエピタキシャル薄膜を形成する際、硫黄終端化し、また、バッファー層上に白金族の金属薄膜を挿入すると良い。 - 特許庁