第5シードの英語

基板１の上に、裏打層２、ＦｅＣｏＢシード層３、ｆｃｃ構造の結晶配向制御層４、非磁性下地層５、第１記録層６、第２記録層７及び保護層８を形成する。例文帳に追加

A backing layer 2, an FeCoB seed layer 3, a crystal orientation control layer 4 having an fcc structure, a non-magnetic underlayer 5, a first recording layer 6, a second recording layer 7 and a protective layer 8 are formed on a substrate 1. - 特許庁

次いで、第２のレジスト膜１４を剥離し、陽極酸化膜６及び金属被膜５の表面に密着／シード層１５を被着し、陽極酸化膜６上に上部電極となる導体パターン８を形成する。例文帳に追加

Then, the second resist film 14 is separated, a contact/seed layer 15 is deposited on surfaces of the anodized film 6 and the metal film 5, and a conductor pattern 8 is formed on the anodized film 6 to serve as an upper electrode. - 特許庁

続いて、ＣＭＰ法により、絶縁膜２の配線溝２ａを除く上面に残存する合金膜７、バリア層５及び第１のシード層４を除去することにより、配線溝２ａに配線７Ａを形成する。例文帳に追加

Following that the alloy film 7, the barrier metal layer 5, and the first seed layer 4 remaining on the upper surface, excluding the wiring groove 2a, of the insulating film 2 are removed by the CMP method, thereby forming a wiring 7A in the wiring groove 2a. - 特許庁

半導体基板１上の絶縁膜２に形成された第１の配線溝３と該配線溝よりも幅広の第２の配線溝５を含む全面にバリアメタル膜６ａ、めっきシード膜を順次形成した後、第１の銅めっき膜７ａを電気めっきして、熱処理する。例文帳に追加

A barrier metal film 6a and a plated seed film are successively formed on an entire surface including a first wiring groove 3 that is formed at an insulating film 2 on a semiconductor substrate 1 and a second wiring groove 5 that is wider than the wiring groove 3, and a first copper-plated film 7a is electrically plated for heat treatment. - 特許庁

テクスチャ加工は、１μｍ平方あたり２５本以上、６０本以下の略同心円状の溝で、深さは、３ｎｍ以上、５ｎｍ以下であることが好ましく、第２もしくは第４シード層は、Ｔｉを３０原子％以上、５０原子％以下含有することが好ましい。例文帳に追加

The textured surface has 25 to 60 grooves/1 μm^2 nearly concentric preferably having 3 to 5 nm depth and the second and the fourth seed layers preferably contain 30 to 50 at% Ti. - 特許庁

さらに、軟磁性裏打層４の上面側に、第１の中間層６ａまたは第２の中間層６ｂの下面に接するシード層５を備えるようにし、非磁性基体１と軟磁性裏打層４の間に、少なくとも１層の下地層２と磁区制御層３とを順次積層して備えるようにした。例文帳に追加

Further, a seed layer 5 coming in contact with a lower surface of the first intermediate layer 6a or the second intermediate layer 6b is provided at an upper surface side of the soft magnetic backlining layer 4, and a base layer 2 of at least one layer and a magnetic domain control layer 3 are laminated successively. - 特許庁

基板（ガラス基板）１の表面に所定の表面粗さを有する同心円状の凹凸を形成し、その上に、プリコート層２、シード層３、下地層４、第１の磁性層５、スペーサ層６、第２の磁性層７、保護層８、潤滑層９を順次積層した。例文帳に追加

Concentric circular recessed and projected parts having predetermined surface roughness are formed on the surface of a substrate (glass substrate) 1, and a precoated layer 2, a seed layer 3, a substrate layer 4, a first magnetic layer 5, a spacer layer 6, a second magnetic layer 7, a protective layer 8 and a lubricant layer 9 are sequentially laminated thereon. - 特許庁

更に、第１の金属パターン上に形成された第２の有機絶縁膜３と、第２の有機絶縁膜３に形成され第１の金属パターンに達する開口部（開口部１５）と、この開口部を介して第１の金属パターンに接続された第２の金属パターン（シードメタル１９及びバリアメタル５）を有する。例文帳に追加

Furthermore, the semiconductor device 100 has a second organic insulation film 3 formed on the first metal pattern, an aperture (opening 15) formed in the second organic insulation film 3 to reach the first metal pattern, and a second metal pattern (seed metal 19 and a barrier metal 5) connected with the first metal pattern through the aperture. - 特許庁