縦成長の英語

縦型触媒化学気相成長装置及び該装置を用いた成膜方法例文帳に追加

VERTICAL TYPE CATALYST CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM AND DEPOSITION METHOD USING THIS SYSTEM - 特許庁

この時以下の結晶成長条件下で５０分間、非縦方向成長部４のファセット成長を継続する。例文帳に追加

Then, facet growth of the non-vertical growth part 4 is continued for 50 min, in the following crystal growth condition. - 特許庁

この結晶成長条件によれば、縦方向の成長速度が速くなり、表面が自然に凹凸形状に結晶成長する。例文帳に追加

Under these crystal growth conditions, a growth rate becomes higher in the vertical direction, resulting in crystals on the surface naturally growing into irregular shape. - 特許庁

縦型ホットウォールＣＶＤエピタキシャル装置、ＳｉＣエピタキシャル成長方法及びＳｉＣエピタキシャル成長膜例文帳に追加

VERTICAL HOT-WALL CVD EPITAXIAL EQUIPMENT, SiC EPITAXIAL GROWTH METHOD, AND SiC EPITAXIAL GROWTH FILM - 特許庁

ウエハ間の良好な膜厚分布を維持して、エピタキシャル成長層を成膜できる縦型エピタキシャル成長装置を提供する。例文帳に追加

To provide a vertical-type epitaxial-growth apparatus, whereby the films of epitaxial-growth layers can be formed on wafers, while maintaining proper distribution for the thicknesses of the films between the wafers. - 特許庁

連続成長ＡｌＮ層７は、高速縦方向成長モードであり、平坦性を向上させるとともにクラックの発生を抑制するモードである。例文帳に追加

The continuous growth AlN layer 7 is formed in a mode which is a high-speed longitudinal growth mode and wherein flatness is improved and cracking is suppressed. - 特許庁

縦型ボート法において、双晶不良の発生を抑制する結晶成長用ルツボを提供する。例文帳に追加

To provide a crucible for crystal growth suppressing the generation of twin crystal defects in a vertical boat method. - 特許庁

縦型ＮＰＮトランジスタと縦型ＰＮＰトランジスタの両方において、エピタキシャル成長層を適切な厚みに制御する。例文帳に追加

To control an epitaxial growth layer to an appropriate thickness in both lateral NPN transistor and lateral PNP transistor. - 特許庁