誘電体界面の英語

強誘電体膜と第２電極との界面接合を良好にする。例文帳に追加

To improve interface bonding between a ferroelectric film and a second electrode. - 特許庁

ゲート誘電体層１と誘電体キャップ層２および誘電体キャップ層２’’とを含む１つの誘電体スタックと、誘電体スタックを覆う１つの金属層とが、最初に形成され、金属−誘電体界面を形成する。例文帳に追加

A single dielectric stack comprising a gate dielectric layer 1, a dielectric capping layer 2, and a dielectric capping layer 2", and one metal layer overlying the dielectric stack, are first deposited, forming a metal-dielectric interface. - 特許庁

高誘電率ゲート酸化物と強誘電体材料との間の界面不整合により、劣化されない強誘電体デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a ferroelectric device which will not deteriorate by the non-matching of an interface between a high dielectric constant gate oxide and a ferroelectric material. - 特許庁

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。例文帳に追加

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide. - 特許庁

本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。例文帳に追加

The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer. - 特許庁

高誘電率ゲート絶縁層と、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。例文帳に追加

To solve a problem of the generation of a low-permittivity interface layer at the interface between a high-permittivity gate insulating layer and a gate electrode, a problem of reduction in permittivity of the entire insulating layer, and a problem of the shifting of a threshold caused by silicide reaction. - 特許庁

有色液体１７中には、界面活性誘電体粒子１８が混入されている。例文帳に追加

Surface active dielectric particles 18 are mixed in a colored liquid 17. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、電極と強誘電体膜の界面近傍におけるＰｂプア層の発生を抑制し、しかも、結晶配向性の良好な強誘電体膜を得る。例文帳に追加

To suppress the generation of a Pb-poor layer in the vicinity of an interface between an electrode and a ferrodielectric film and obtain the ferrodielectric film, excellent in crystal orientation, in a ferrodielectric capacitor and a ferrodielectric memory apparatus. - 特許庁