「誘電体界面」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

界面に窒素を取り込む積層型又は複合型ゲ—ト誘電体例文帳に追加

LAMINATED-TYPE OR COMPOSITE-TYPE GATE DIELECTRIC TAKING NITROGEN INTO INTERFACE - 特許庁

高温度における高ｋゲート誘電体用の界面層成長例文帳に追加

INTERFACE LAYER GROWTH FOR HIGH-K GATE DIELECTRIC AT HIGH TEMPERATURE - 特許庁

強誘電体膜と第２電極との界面接合を良好にする。例文帳に追加

To improve interface bonding between a ferroelectric film and a second electrode. - 特許庁

ゲート誘電体層１と誘電体キャップ層２および誘電体キャップ層２’’とを含む１つの誘電体スタックと、誘電体スタックを覆う１つの金属層とが、最初に形成され、金属−誘電体界面を形成する。例文帳に追加

A single dielectric stack comprising a gate dielectric layer 1, a dielectric capping layer 2, and a dielectric capping layer 2", and one metal layer overlying the dielectric stack, are first deposited, forming a metal-dielectric interface. - 特許庁

高誘電率ゲート酸化物と強誘電体材料との間の界面不整合により、劣化されない強誘電体デバイスを提供すること。例文帳に追加

To provide a ferroelectric device which will not deteriorate by the non-matching of an interface between a high dielectric constant gate oxide and a ferroelectric material. - 特許庁

本発明の半導体素子の多層誘電体構造物は、シリケート界面膜及びシリケート界面膜上に形成された高誘電体膜を備え、高誘電体膜は金属合金酸化物を含む。例文帳に追加

A multilayer dielectric structure of a semiconductor device of the present invention has a silicate interface film and a high-k dielectric film formed on the silicate interface film, wherein the high-k dielectric film contains a metal alloy oxide. - 特許庁

本発明よる多層構造の誘電体膜は、シリコン窒化膜より高誘電率を有するシリケート界面層１２及びシリケート界面層の上に形成された高誘電体膜１４を含む。例文帳に追加

The multilayer dielectric film comprises a silicate interface layer 12 having permittivity higher than that of a silicon nitride film, and a high dielectric film 14 formed on the silicate interface layer. - 特許庁

高誘電率ゲート絶縁層と、ゲート電極界面において、低誘電率界面層が生成し、絶縁層全体の誘電率を低下させる。例文帳に追加

To solve a problem of the generation of a low-permittivity interface layer at the interface between a high-permittivity gate insulating layer and a gate electrode, a problem of reduction in permittivity of the entire insulating layer, and a problem of the shifting of a threshold caused by silicide reaction. - 特許庁

有色液体１７中には、界面活性誘電体粒子１８が混入されている。例文帳に追加

Surface active dielectric particles 18 are mixed in a colored liquid 17. - 特許庁

強誘電体キャパシタ及び強誘電体メモリ装置に関し、電極と強誘電体膜の界面近傍におけるＰｂプア層の発生を抑制し、しかも、結晶配向性の良好な強誘電体膜を得る。例文帳に追加

To suppress the generation of a Pb-poor layer in the vicinity of an interface between an electrode and a ferrodielectric film and obtain the ferrodielectric film, excellent in crystal orientation, in a ferrodielectric capacitor and a ferrodielectric memory apparatus. - 特許庁

２つのシリコン界面に、窒素を利用して誘電体層を設けることにより、ウェハ毎に、界面での電気抵抗を制御することが可能となる。例文帳に追加

A dielectric layer is provided at an interface between two silicons by the use of nitrogen, by which each wafer can be controlled in electric resistance at an interface. - 特許庁

多層セラミック基板において、誘電体層と電極層と界面での接合強度を向上させる。例文帳に追加

To improve junction strength on the interface between a dielectric layer and an electrode layer in a multilayer ceramic board. - 特許庁

第１の高誘電体膜１０３は、界面酸化層１０２の上に設けられ、窒素を含有している。例文帳に追加

The first high-dielectric film 103 is prepared on the interface oxidation layer 102, containing nitrogen. - 特許庁

金属ゲート電極、ゲート誘電体及び界面層を備える新たなＭＯＳＦＥＴを開示している。例文帳に追加

A new MOSFET provided with the metal gate electrode, a gate dielectric and an interface layer is disclosed. - 特許庁

原子レベルで平滑なシリコン基材／ゲート誘電体界面を作るための方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for forming a smooth silicon base material/gate dielectric boundary at an atom level. - 特許庁

これらの金属層の各々と誘電体層との間には、界面１８、２０が存在する。例文帳に追加

Interfaces 18 and 20 exist between each of these metal layers and the dielectric layer. - 特許庁

誘電性液体中に、固液界面に表面電荷を生ずる粒子が浸漬されている。例文帳に追加

Particles having surface electric charge in the solid-liquid boundary are immersed in the dielectric liquid. - 特許庁

電子部品及びその製造方法、電子部品付き配線基板、金属と誘電体との界面構造例文帳に追加

ELECTRONIC COMPONENT, MANUFACTURING METHOD THEREOF, WIRING BOARD PROVIDED THEREWITH, AND INTERFACIAL STRUCTURE BETWEEN METAL AND DIELECTRIC - 特許庁

シリコン誘電体界面の均一性の改善及び表面粗さの削減方法。例文帳に追加

METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY OF SILICON DIELECTRIC BOUNDARY AND REDUCING SURFACE ROUGHNESS - 特許庁

上記のような課題は、強誘電体と下部電極界面を単一とすることにより達成される。例文帳に追加

Proldem aboves is solved by unifying the ferroelectric and a lower electrode interface. - 特許庁

従来は、球状の誘電体粉と樹脂を複合することにより、誘電体複合材料を製作していたが、その誘電体粉を鱗片状（扁平状）に変えることにより材料内に界面分極が発生し誘電率を向上させることができた。例文帳に追加

In this method, the dielectric powder is made into the flaky (flat) shape, thus interfacial polarization is generated in the material, thereby improving its dielectric constant. - 特許庁

ゲート積層体構造は、半導体基板５の上に形成された界面層４と、界面層４の上に形成された高誘電率誘電体３と、拡散性材料と不純物金属を含み、高誘電率誘電体の上方に形成されたシリサイドゲート１と、拡散性材料に対するバリア効果を持ち、高誘電率誘電体３とシリサイドゲート１の間に形成されたバリアメタル２とを備えている。例文帳に追加

The gate stack structure is equipped with: an interfacial layer 4 formed on a semiconductor substrate 5; a high-k dielectric 3 formed on the interfacial layer 4; a silicide gate 1 including a diffusive material and an impurity metal and formed over the high-k dielectric; and a barrier metal 2 having a barrier effect to the diffusive material and formed between the high-k dielectric 3 and the silicide gate 1. - 特許庁

誘電体領域と半導体基盤との界面を高品質化し、ゲート領域からの不純物原子に対して不浸透性のある誘電体領域を獲得し、堆積される誘電体膜に実質等しい厚さを得る。例文帳に追加

To increase the quality of an interface between a dielectric region and a semiconductor substrate, obtain a dielectric region impermeable to an impurity atom from a gate region, and obtain a thickness substantially equal to that of a stacked dielectric film. - 特許庁

誘電体膜４の第１電極層とは反対側の面が、誘電体膜４と第２電極層５との界面Ｓ１の少なくとも一部が誘電体膜４と絶縁層６との界面Ｓ２よりも基板１側に位置するような段差４０を形成している。例文帳に追加

The surface on the side opposite to the first electrode layer of the dielectric film 4 forms a step 40 making at least a part of an interface S1 between the dielectric film 4 and the second electrode layer 5 to be positioned closer to the substrate 1 side than an interface S2 between the dielectric film 4 and the insulating film 6. - 特許庁

開示された選択的エッチングプロセスは、強誘電体の封じ込め材料として窒化シリコンを有する導電性酸化物／強誘電体界面を用いる強誘電体メモリデバイス製造に十分適している。例文帳に追加

The disclosed selective etching process is sufficiently suitable for ferroelectric memory device fabrication using a conductive oxide/ferroelectric interface having silicon nitride as a material for encapsulating a ferroelectric substance. - 特許庁

誘電体スタックと金属層を形成した後、誘電体キャップ層２’’の、金属−誘電体界面に隣接する少なくとも一部が、仕事関数変調元素６を加えることにより選択的に変調される。例文帳に追加

After forming the dielectric stack and the metal layer, at least a part adjoining the metal-dielectric interface of the dielectric capping layer 2" is selectively modified by adding work function tuning elements 6. - 特許庁

良好な界面特性を有する強誘電体積層構造、及びかかる強誘電体積層構造を用いた、優れた電気特性を有する電界効果トランジスタ又は強誘電体キャパシタを提供することにある。例文帳に追加

To provide a ferroelectric stacked-layer structure having excellent interface characteristics, and a field effect transistor or ferroelectric capacitor with superior electric characteristics using the same ferroelectric stacked-layer structure. - 特許庁

剥離防止層１９は、誘電体層２０とは異質な誘電体から構成され、誘電体層２０と他の構成要素との間の接合界面における密着性を向上させる。例文帳に追加

The separation preventive layer 19 is formed of a dielectric substance different from that of the dielectric layer 20 and improves the adhesion in a joining interface between the dielectric layer 20 and other components. - 特許庁

下部電極と強誘電体膜との界面におけるリーク電流を低減できる強誘電体メモリ装置の製造方法及び強誘電体メモリ装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a ferroelectric memory device capable of reducing a leak current at an interface between a lower electrode and a ferroelectric film, and the ferroelectric memory device. - 特許庁

酸化物誘電体膜の成膜方法に関し、金属膜上に、密着性に優れ、界面欠陥の少ない酸化物誘電体膜を形成しうる酸化物誘電体膜の成膜方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of forming an oxide dielectric film having superior adhesion and few interface defects on a metal film. - 特許庁

金属からなる基板と酸化物誘電体層との界面における密着性を高めると共にリーク特性が良好である誘電体素子と、当該誘電体素子をより簡易に作製することができる製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a dielectric element which improves adhesiveness in an interface between a substrate formed of metal and an oxide dielectric layer, and has excellent leak characteristics, and to provide a method of easily manufacturing the dielectric element. - 特許庁

λ／４型電波吸収体１００は、入射される電波を反射する反射体１０と、反射体１０に隣接して配置され、所定の誘電率を有する第１の誘電体２１と、第１の誘電体２１に隣接して配置され、第１の誘電体と異なる誘電率を有する第２の誘電体２２と、抵抗膜３０とを積層して構成され、第２の誘電体は、第１の誘電体より小さい誘電率を有し、また、第１の誘電体２１と第２の誘電体２２との界面に凹凸形状が形成されている。例文帳に追加

A λ/4 radio wave absorber 100 is formed by stacking a reflecting body 10 to reflect entering radio waves, a first dielectric 21 that is arranged adjacent to the reflecting body 10 and has a specified dielectric ratio; a second dielectric 22 that is arranged adjacent to the first dielectric 21 and has a dielectric ratio different from that of the first dielectric 21, and a resistance film 30. - 特許庁

非酸素カルコゲンに富んだ界面を設けることによって、誘電体成長時およびその後の望ましくない界面化合物の形成が抑制され、界面トラップの密度が低下する。例文帳に追加

The density of an interface trap is decreased, because undesirable formations of interface compounds at the time of growing the dielectric and thereafter is suppressed, by providing interfaces in which the non-oxygen chalcogen is rich. - 特許庁

この半導体デバイスは、第１のフィールドプレートを、ドリフトゾーンに隣接する誘電層の界面付近の誘電層内の電荷およびドリフトゾーンから電気的に分離する誘電層を含む。例文帳に追加

The semiconductor device includes a dielectric layer electrically isolating the first field plate from the drift zone and charges within the dielectric layer close to an interface of the dielectric layer adjacent to the drift zone. - 特許庁

強誘電体層は、強誘電体層の主要部を形成する第１の結晶集合組織を備えた第１の強誘電体層と、主要部と一方の電極との間に界面層を形成する第２の別の結晶集合組織を備えた第２の強誘電体層とを含む。例文帳に追加

A ferroelectric layer includes a first ferroelectric layer, having a first crystalline aggregate system forming a main part of a ferroelectric layer and a second ferroelectric layer, having a second separate crystalline aggregate system forming an interface layer between a main part and one electrode. - 特許庁

これは主として、バッファ層及び強誘電体のリーク電流が大きいため、強誘電体が記憶した電気分極を遮蔽するように強誘電体とバッファ層の界面付近に電荷が蓄積されトランジスタのソースドレイン間の電気伝導を強誘電体の電気分極が制御できなくなるためである。例文帳に追加

An insulator buffer layer 2 is composed of HfO_2+u or Hf_1-xAl_2xO_2+x+y to reduce the leakage current from both of the insulation buffer layer 2 and a ferroelectric 3 and to provide a memory transistor which retains data for a good long time. - 特許庁

シリコン酸化物と金属下部電極との界面、金属下部電極と強誘電体膜との界面及び強誘電体膜と上部電極との界面の特性を向上させて、漏れ電流を減少させて後続の蝕刻工程で薄膜剥離現象の発生を防止できる半導体素子の強誘電体キャパシタ製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a ferroelectirc capacitor for semiconductor element with which the characteristics of the boundary between a silicon oxide and a metal lower electrode, the metal lower electrode and a ferroelectric substance film, and the ferroelectric substance film and an upper electrode, can be improved, and leakage current is reduced so as to prevent peeling phenomenon of a thin film in the following etching step. - 特許庁

トランジスタゲート構造を製造する方法が開示され、高誘電率誘電体層の粗さが、核形成促進層（１２０）を基板（１０４）又は任意の意図的な界面層の上に形成することによって低減され、高誘電率誘電体（１３０）が核形成促進層（１２０）の上に形成される。例文帳に追加

The method for manufacturing a transistor gate structure is disclosed, roughness of a high dielectric constant dielectric layer is decreased by forming a nucleation acceleration layer (120) on a substrate (104) or an arbitrary intentional interface layer, and a high dielectric constant dielectric (130) is formed on the nucleation acceleration layer (120). - 特許庁

一実施形態では、形成される気体誘電体構造を選択的に配置するために、界面破壊促進膜を使用することができる。例文帳に追加

In one embodiment, an interface-breaking enhancing film can be used, to selectively locate the gas dielectric structure formed. - 特許庁

強誘電体膜と絶縁膜との良好な界面を有し、メモリ特性の優れた半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor storage apparatus having a good interface between a ferroelectric film and an insulating film, and an excellent memory property. - 特許庁

高誘電体膜とシリコン基板とを分離する、極薄かつ緻密な界面層を形成する半導体デバイスの製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, by which an ultrathin and fine interface layer is formed which separates a high-k film and a silicon substrate. - 特許庁

半導体装置及びその製造方法に関し、酸化物誘電体膜／ＴｉＡｌＮ界面の剥離や膜浮きを防止する。例文帳に追加

To prevent an interface between an oxide dielectric film and TiAlN from separating or floating, relating to a semiconductor device and its manufacturing method. - 特許庁

絶縁ゲート型半導体装置の製造方法に関し、半導体基板界面における低誘電率の酸化膜生成を抑制する。例文帳に追加

To obtain a method for manufacturing an insulated gate semiconductor device in which the creation of a low permittivity oxide film is retarded at the interface of a semiconductor substrate. - 特許庁

蓄積容量部の金属と強誘電体の界面に大きな応力が生じにくい半導体メモリ装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory device in which a large stress is less likely to be generated, in an interface between a metal of a storage capacity and a ferroelectric. - 特許庁

半導体層と、半導体層の表面に接するように設置された誘電体膜とを含み、誘電体膜は、半導体層との界面近傍に、正または負の固定電荷となる不純物を有する光電変換装置である。例文帳に追加

The photoelectric conversion device includes a semiconductor layer and a dielectric film set to contact the surface of the semiconductor layer, wherein the dielectric film has an impurity as a positive or negative fixed charge near the interface between the dielectric film and the semiconductor layer. - 特許庁