間接的観察の英語

半導体試料の拡散領域の局所的な空乏層の状態をSCM により観察する際、試料構造の影響を受けることなく、実際に観察している試料表面部の拡散領域に所望の電圧を印加した状態で間接的に観察することを可能にする。例文帳に追加

To allow indirect observation under the condition where a desired voltage is impressed to a diffusion area of a sample surface part observed actually, without affected by sample structure, when a state of a local depletion layer in the diffusion area of a semiconductor sample is observed by an SCM. - 特許庁

具体的には、細菌（細胞）と被験物質とを、希釈度の異なる被験物質の溶液中において８時間以下もしくは１２時間接触させ、当該接触液を顕微鏡観察する。例文帳に追加

In particular, bacteria (cells) are brought into contact with a substance to be tested in solutions of the substance to be tested, having different degrees of dilution for ≤8 hours or 12 hours and the contact solutions are observed by a microscope. - 特許庁

物品に一旦貼付けられているものを剥離しようとすると、その際に加えられた物理的な力や熱によってその一部を構成する中間接着層と粘着層との間に変位が生じるようにし、偏光板を介して偏光潜像の部分を観察したときには、剥離前の偽造防止ラベルで観察されていた可視化像と同一の可視化像が見られないようにした偽造防止ラベルの提供。例文帳に追加

To provide a forgery preventive label that generates a deformation between a middle adhesion layer and an adhesive layer comprising the label by a physical force and a heat applied thereto upon peeling the label off once attached to an object such that a visualized image observed prior to the peeling cannot be identical to a visualized image after the peeling upon observing a part of a deflection latent image via a polarizer. - 特許庁

そして、そのテスト試薬層３２にテスト流体２２を接触させて、その際のテスト試薬層３２又はテスト流体２２の色等の変化を観察することにより、試薬層３０のむらの有無を間接的に推定できるようにする。例文帳に追加

Then, test fluid 22 is brought into contact with the test reagent layer 32 and a change in the color or the like of the test reagent layer 32 or the test fluid 22 in that case is observed, thus indirectly estimating the presence or absence of the irregularities in the reagent layer 30. - 特許庁

これにより、光検出用ファイバ１９内を伝播した光の強度を検知することで、照明用光ファイバ１２内を伝播する光の強度を間接的に観察（検知）し、この検知結果に基づいて光源１１の発光量を調整する。例文帳に追加

Thus, the intensity of the light propagated into the detection fiber optics 19 is detected so that the intensity of the light propagated into the lighting fiber optics 12 is indirectly observed (detected), and the light emission quantity of the light source 11 is adjusted in accordance with the detection result. - 特許庁

溶接部の観察を行う場合には、冷却水６によるホルダ１内部の間接冷却を行わせると共に、パージガス１６をホルダ１内に吹き込んで、ＣＣＤカメラ２と光学部品３，４をそれぞれ直接的に冷却させるようにする。例文帳に追加

When a welded part is viewed, cooling water 6 indirectly cools the inside of the holder 1 and blowing the purge gas 16 into the holder 1 directly cools the CCD camera 2 and the optical components 3, 4, respectively. - 特許庁

表面に絶縁膜を有する半導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の確認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記半導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記半導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを確認することを特徴とするイオン注入状況の確認方法。例文帳に追加

There is provided a method for confirming an ion implantation status upon implanting ions into one entire surface of a semiconductor wafer having an insulating film thereon, in which it is confirmed whether the ion implantation is conducted into the entire surface of the semiconductor wafer by observing directly or indirectly light emitted when the surface of the semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of the implanted ions from the start of the ion implantation through the end thereof. - 特許庁