高速中性粒子の英語

次いで、前記イオン粒子を高層中性大気に衝突させて電荷交換を生ぜしめ、高速中性粒子を生成させとともに、捕捉する。例文帳に追加

Then, the ion particles are collided with the high-altitude neutral air to generate charge exchange, and a high-speed neutral particles are generated thereby and captured. - 特許庁

高速イオンや中性粒子を含むデブリを磁場の作用により排出する極端紫外光源装置において、プラズマから放出される中性粒子を効率良くイオン化する。例文帳に追加

To efficiently ionize neutral particles emitted from plasma, in an extreme-ultraviolet light source device discharging debris containing high-speed ions and neutral particles by the action of a magnetic field. - 特許庁

高周波電力印加電極に入射する高速中性粒子のエネルギーの分析方法及び分析装置例文帳に追加

ANALYZING METHOD AND APPARATUS FOR HIGH SPEED NEUTRAL PARTICLE ENERGY INCIDENT TO HIGH FREQUENCY POWER APPLIED ELECTRODE - 特許庁

硼素膜3aの体積は、硼素膜3a中の^10Ｂと熱中性子との核反応によって放出されるα粒子及び^ 7Li原子核による熱中性子感度が、ポリエチレンシート2aから高速中性子によって叩き出される反跳陽子による高速中性子感度と同等になるように設定されている。例文帳に追加

The volume of the boron film 3a is set in such a way that thermal neutron sensitivity due to α particles and 7Li nuclei emitted by the thermal reaction between 10B in the boron film 3a and thermal neutrons becomes equivalent to fast neutron sensitivity due to recoil protons struck out of the polyethylene sheet 2a by fast neutrons. - 特許庁

一つの半導体放射線検出器の放射線入射方向側上に熱中性子を核反応より荷電粒子に変換するコンバータ物質及び高速中性子により反跳陽子を発生するラジエータ物質を備えた中性子検出器とすることによって、中性子ポケット線量計として小型化でき、コストダウンできるものである。例文帳に追加

A neutron detector is provided with a converter substance 2 for converting a thermal neutron to a charged particle due to nuclear reaction and a radiator substance 3 for generating a bounding proton due to a high-speed neutron on a side in the radiation incidence direction of one semiconductor radiation detector, thus miniaturizing the detector as a neutron pocket dosimeter and reducing costs. - 特許庁

本発明は小型で価格も手頃なテーブルトップ粒子加速器からの高速中性子を自在に安定的に制御することで、燃えにくく広く大量にストックされている劣化ウランやウランの数倍も埋蔵量がある同じく燃えにくいトリウムを燃焼させる方法を提供するものである。例文帳に追加

A method is constituted where, by stably controlling fast neutrons from a small table top particle accelerator of a reasonable price, depleted uranium that is hardly burned and stocked in large quantity and thorium that is hardly burned and whose reserve is several times that of uranium are burned. - 特許庁

半導体装置は、原子番号が１から１３までの原子のうち少なくとも１つの原子を含む材料で形成されたリードフレーム７０と、このリードフレーム７０上に設けられ、高速中性子２０とシリコンとの核反応により発生する粒子３０の最大飛程よりも薄い膜厚を有するシリコン基板１１と、このシリコン基板１１の表面に形成された半導体素子１４とを具備する。例文帳に追加

The semiconductor device has: a lead frame 70 formed by using materials including at least one atom from those with atomic numbers 1 through 13; a silicon substrate 11 that is provided on this lead frame 70 and has a film thickness thinner than the largest range of a particle 30 caused by a nuclear reaction between the fast neutron 20 and silicon; and a semiconductor element 14 formed on the surface of the silicon substrate 11. - 特許庁