.3dsとは 意味・読み方・使い方

The 3DS memory (100) manufacturing method enables several performance and physical size efficiencies and is implemented with established semiconductor processing techniques.例文帳に追加

３ＤＳメモリ（１００）製造方法は、幾つかの性能および物理的サイズ効率を可能にしかつ確立された半導体加工技術により実施される。 - 特許庁

A second support part 3ds is provided in partial contact with a second face NSb on the back end side of the pawl 5.例文帳に追加

第２支持部３ｄｓは、固定爪５の後端側の第２面ＮＳｂに部分的に接触した状態で設けられている。 - 特許庁

This tooth paste component is provided by changing the oxydol into the gel and having a prescribed preparation form adjusted to be used for the 3DS performed in a dental clinic.例文帳に追加

オキシドールをゲルに変化させ、歯科医院にて行われる３ＤＳに用いることができるように調整された、所定の剤形をもつ歯磨剤成分である。 - 特許庁

In a three-dimensional (3DS) memory 100, a memory circuit 103 and a control logic circuit 101 can be physically separated onto each layer 103 to optimize each layer separately.例文帳に追加

各層が別々に最適化されるように、別々の層（１０３）上へのメモリ回路（１０３）および制御論理回路（１０１）の物理的分離が可能な三次元（３ＤＳ）メモリ（１００）。 - 特許庁

Fabrication of 3DS memory (100) includes a step of thinning of the memory circuit (103) to smaller than 50 μm in thickness, and a step of bonding the memory circuit to a circuit stack, while still in wafer substrate form.例文帳に追加

３ＤＳメモリ（１００）の製造は、メモリ回路（１０３）を５０μｍ以下の厚さに薄肉化する工程と、該メモリ回路を、ウェーハ基板形態のまま回路積層体に接合する工程とを有する。 - 特許庁

The manufacture of the 3DS memory 100 has a step of thinning the thickness of the memory circuit 103 to not more than 50 μm, and a step of joining the memory circuit to a circuit laminate in a wafer substrate form.例文帳に追加

３ＤＳメモリ（１００）の製造は、メモリ回路（１０３）を５０μｍ以下の厚さに薄肉化する工程と、該メモリ回路を、ウェーハ基板形態のまま回路積層体に接合する工程とを有する。 - 特許庁

A three-dimensional structure (3DS) memory 100 allows physical separation of the memory circuits 103 and the control logic circuit 101 onto different layers 103 such that each layer may be separately optimized.例文帳に追加

各層が別々に最適化されるように、別々の層（１０３）上へのメモリ回路(１０３)および制御論理回路（１０１）の物理的分離が可能な三次元（３ＤＳ）メモリ（１００）。 - 特許庁

Fabrication of 3DS memory 100 involves thinning of the memory circuit 103 to less than 50 μm in thickness and bonding the circuit to a circuit stack while keeping still in wafer substrate form.例文帳に追加

３ＤＳメモリ（１００）の製造は、メモリ回路（１０３）を５０μｍ以下の厚さに薄肉化する工程と、該メモリ回路を、ウェーハ基板形態のまま回路積層体に接合する工程とを有する。 - 特許庁