9 to 5 (film)とは 意味・読み方・使い方

Furthermore, ultraviolet rays are irradiated to the opening portion 51 in a reducing gas atmosphere, a barrier metal film 9 is formed in the opening portion 51 that contacts the insulating film 7 and conductive film 5, and a conductive film 10 is formed over the barrier metal film 9.例文帳に追加

また、還元ガス雰囲気中で開口部５１に紫外線を照射し、開口部５１内に絶縁膜７及び導電膜５に接するバリアメタル膜９を形成し、バリアメタル膜９上に導電膜１０を形成する。 - 特許庁

A contact 9 formed through the layer insulating film 8 and polysilicon film 5 is connected to the TiN film 4 directly.例文帳に追加

層間絶縁膜８及びポリシリコン膜５を貫通して形成されたコンタクト９は、ＴｉＮ膜４と直接に接続されている。 - 特許庁

An insulation film 9, whose quality is similar to the insulating film 3, is formed on the film 5, and second layer wiring grooves 10 and an interlayer connection wiring hole 11 are formed.例文帳に追加

膜５の上に、絶縁膜３と同質の絶縁膜９を形成し、第２層配線用溝１０および層間接続配線用孔１１を形成する。 - 特許庁

An aperture 9 corresponding to the ion sensitive section 5 is arranged on the insulating film 10 beforehand.例文帳に追加

絶縁フィルム１０にはイオン感応部５に対応した開口部９が予め設けられている。 - 特許庁

The Ru film 5 is etched with use of the hard mask 8 to form an Ru electrode 9.例文帳に追加

ハードマスク８を用いてＲｕ膜５がエッチングされＲｕ電極９が形成される。 - 特許庁

Solid lubricant planar crystal grains 9 are laminated on the coating film 5 so as to form a coating layer 6.例文帳に追加

この皮膜５上に固体潤滑剤板状結晶粒子９を積層して被覆層６を形成する。 - 特許庁

The connector 5a of the semiconductor element side of the terminal 5 is drawn from the other surface 9b of the film 9 to the one surface 9a of the film 9 through the film 9, and the connector 4b of the substrate side of the terminal 4 is drawn from the one surface 9a of the film 9 to the other surface 9a of the film 9 through the film 9.例文帳に追加

第２のリード端子５における半導体素子側接続部５ａは、絶縁フィルム９の他面９ｂから絶縁フィルム９を貫通して絶縁フィルム９の一面９ａに引き出され、第１のリード端子４における基板側接続部４ｂは、絶縁フィルム９の一面９ａから絶縁フィルム９を貫通して絶縁フィルム９の他面９ｂに引き出されている。 - 特許庁

The film-formation surface of the semiconductor thin-film layer 9 is set to be a laminated surface, and the first and second substrates 1, 11 are laminated while the protective film 5 and the semiconductor thin-film layer 9 are being clamped.例文帳に追加

半導体薄膜層９の成膜表面を貼り合わせ面とし、かつ保護膜５と半導体薄膜層９とを狭持する状態で第１基板１と第２基板１１とを貼り合わせる。 - 特許庁