Al Ainとは 意味・読み方・使い方

Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.例文帳に追加

酸窒化アルミニウム層は、Al−Ｏ−Ｎ固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁

A crystalline AIN layer of 5 to 80 nm-thickness superior in orientation is installed on a surface of a single-crystal state Al plate.例文帳に追加

単結晶状のＡｌ板の表面に、厚さ５〜８０nmの配向性に優れた結晶質のＡｌＮ層を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板１１の上にＡｌ_xＩｎ_xＧａ_1-x-yＮから成る第１の層１２ａとＡｌ_aＩｎ_bＧａ_i-a-bＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁

As for this AIN layer, it is preferable that it is directly formed on the Al plate without via an oxide layer, and furthermore, that it is formed by a gas phase method after removing oxide of the surface of the Al plate.例文帳に追加

このＡｌＮ層としては、酸化物層を介することなくＡｌ板上に直接形成されていることが、さらには、Ａｌ板表面の酸化物除去後に、気相法で形成されたものが好ましい。 - 特許庁

The semiconductor substrate and semiconductor device include an AIN layer 12 provided on a Si substrate 10, an AlGaN layer 14 provided on the AIN layer 12 to have a composition ratio of Al of 0.3 or more and 0.6 or less, and a GaN layer 16 provided on an AlGaN layer 14.例文帳に追加

本発明は、Ｓｉ基板１０上に設けられたＡｌＮ層１２と、ＡｌＮ層１２上に設けられたＡｌの組成比が０．３以上かつ０．６以下のＡｌＧａＮ層１４と、ＡｌＧａＮ層１４上に設けられたＧａＮ層１６と、を具備する半導体基板および半導体装置である。 - 特許庁

Since the single-crystal state Al plate having conductivity is a base material, it is not necessary to form a transparent conductive membrane, and moreover, the AIN layer formed on the surface of the A plate is superior not only in insulating withstand voltage characteristics but also in heat radiation characteristics.例文帳に追加

導電性を有する単結晶状Ａｌ板を基材としているため透明導電膜を形成する必要はなく、また、Ａｌ板の表面に形成したＡｌＮ層は絶縁耐圧性に優れるばかりでなく、放熱性にも優れる。 - 特許庁

An n-side intermediate layer 12 and a p-side intermediate layer 14 of Al_aIn_bGa_1-a-bN (0<a≤0.2, 0<b≤0.2) are provided on both sides of an active layer.例文帳に追加

活性層の両側にＡｌ_a Ｉｎ_b Ｇａ_1-a-b Ｎ（０＜ａ≦０．２，０＜ｂ≦０．２）により構成されたｎ側中間層１２およびｐ側中間層１４を備える。 - 特許庁