BEAM SEARCH METHODとは 意味・読み方・使い方

AUDIO RECOGNIZING DEVICE, BEAM SEARCH METHOD AND BEAM SEARCH PROGRAM例文帳に追加

音声認識装置、ビームサーチ方法、およびビームサーチプログラム - 特許庁

ROTATION CENTER SEARCH METHOD AND ROTATION CENTER SEARCH SYSTEM OF SAMPLE HOLDER FOR CHARGED PARTICLE BEAM DEVICE例文帳に追加

荷電粒子線装置用試料ホルダの回転中心探索方法及び回転中心探索システム - 特許庁

To provide a wireless control method capable of shortening time required for search and setting of the beam direction to shorten time in which transmission interruption is generated when wireless communication is performed by performing beam forming.例文帳に追加

ビームフォーミングを行って無線通信を行う場合に、ビーム方向の探索や設定にかかる時間を短縮し、伝送断が生じる時間を短くすることができる無線制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for directly and highly accurately detecting the laser beam-converged position of an optical module, and realizing shortening of the time for peak search.例文帳に追加

光モジュールのレーザ集光位置を直接、高精度に検出でき、さらに、ピークサーチ時間の短縮化を図る事ができる方法を提供する。 - 特許庁

To provide a distance measuring apparatus and a distance measuring method for applying an optical beam to a measuring object and measuring a distance to the measuring object in which there is no region to which a distance measuring apparatus cannot apply optical beams and a search region is larger than the conventional one.例文帳に追加

光ビームを測定対象物に照射して測定対象物までの距離を測定する距離測定装置および距離測定方法において、光ビームの照射ができない範囲が無く、従来に比べて捜査範囲を広くする。 - 特許庁

When the noise quantity detected by a noise detection part 32 is large, a threshold α of pruning when a beam search method is implemented is varied in a direction where the number of left branches becomes less and then arithmetic processing for speech recognition can be completed in its early stage when the noise quantity is large.例文帳に追加

騒音検出部３２によって検出された騒音量が大きい場合には、ビームサーチ法を行う際の枝刈りの閾値αを残す枝の数が少なくなる方向に変更することにより、騒音量が大きい場合には早期に音声認識の演算処理を終了させることができる。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁