BL11とは 意味・読み方・使い方

A third line WL21 crosses the second line BL11 via the second memory cell MC211.例文帳に追加

第３のラインＷＬ２１は、第２のメモリセルＭＣ２１１を介して第２のラインＢＬ１１に交差する。 - 特許庁

A second memory cell MC211 is disposed on the opposite side of the semiconductor substrate SB of the second line BL11.例文帳に追加

第２のメモリセルＭＣ２１１は、第２のラインＢＬ１１の半導体基板ＳＢと反対側に配されている。 - 特許庁

A second line BL11 crosses the first line WL11 via the first memory cell MC111.例文帳に追加

第２のラインＢＬ１１は、第１のメモリセルＭＣ１１１を介して第１のラインＷＬ１１に交差する。 - 特許庁

A rear group GB is constituted of a biconcave lens BL11, a distance, and a positive meniscus lens BL12 whose convex surface faces to an object in order from the object side, and the signs of the radii of curvature r4 and r5 of the opposed surfaces of the two lenses BL11 and BL12 are set the same.例文帳に追加

後群ＧＢは、物体側から順に両凹レンズＢＬ１１、空気間隔、物体に凸面を向けた正メニスカスレンズＢＬ１２から構成され、これら２つのレンズＢＬ１１，ＢＬ１２の相向き合う面の曲率半径ｒ_4 ，ｒ_5 を同符号とする。 - 特許庁

However, a node A is drawn to the GND level by a coupling effect by the parasitic capacitance 14 and charging current i1 flows to the node A since the parasitic capacitance 14 exists between bit lines BL11 and BL21.例文帳に追加

ところが、ビットラインＢＬ１１・ＢＬ２１間に寄生容量１４が存在するので、ノードＡは寄生容量１４のカップリング効果によりＧＮＤレベルへ引かれ、ノードＡへ充電電流ｉ１が流れる。 - 特許庁

Two word lines are provided, and an NMOS transistor NT33 (Vss side) and a PMOS transistor (power supply side) for data write control are added to a first inverter INV31 at a side a bit line BL11 is connected.例文帳に追加

ワード線を２本とし、ビット線ＢＬ１１が接続されている側の第１のインバータＩＮＶ３１に、データ書き込み制御用のＮＭＯＳトランジスタＮＴ３３（Ｖｓｓ側）とＰＭＯＳトランジスタ（電源側）を付加する。 - 特許庁

The ferroelectric memory device has bit lines BL11 to 1n and BL21 to 2n connected to a sense amp 140A together with bit lines BL31 to 3n, and BL41 to 4n connected to a sense amp 140B in an approximately opposite direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、センスアンプ１４０Ａに接続されるビット線ＢＬ１１〜１ｎ，ＢＬ２１〜２ｎ、並びにセンスアンプ１４０Ｂに接続されるビット線ＢＬ３１〜３ｎ，ＢＬ４１〜４ｎが、それぞれ互いに略反対方向に延びている。 - 特許庁