Boiling chipとは 意味・読み方・使い方

The electronic component A is provided with a package 1, and the semiconductor chip 4 stored in an internal space of the package 1, and fluid R with boiling point temperature higher than temperature in operation of the semiconductor chip 4 and having insulation is encapsulated in the internal space.例文帳に追加

パッケージ１と、このパッケージ１の内部空間に収容された半導体チップ４と、を備えた電子部品Ａであって、上記内部空間には、沸点温度が半導体チップ４の作動時の温度よりも高く、かつ、絶縁性を有する流体Ｒが封入されている。 - 特許庁

The chip electronic component 9 or the ceramic substrate 10 is dipped and left in a hydrophobic organic solvent 6 with a high boiling point previously heated to 100°C or higher.例文帳に追加

チップ型電子部品９又はセラミック基板１０を、あらかじめ１００℃以上に加熱した高沸点の疎水性有機溶剤６中に浸漬、放置する。 - 特許庁

To provide a boiling and cooling device, with which the interference between the part on the circumference of a chip and a refrigerant bath, and a satisfactory refrigerant circulation stream can be formed.例文帳に追加

チップ３の周辺部品と冷媒槽４との干渉を防止でき、且つ良好な冷媒循環流を形成できる沸騰冷却装置１を提供すること。 - 特許庁

Helium (with molecular weight of 4.0026 g/mol, a boiling point of 4.215 K, and a density of 0.17847 kg/m^3) is encased in a container in which a detector chip and a heat sink are hermetically housed.例文帳に追加

本願発明においては、検出器チップとヒートシンクが密封収納された容器内に、ヘリウム（分子量４．００２６ｇ／ｍｏｌ、沸点４．２１５Ｋ、密度０．１７８４７ｋｇ／ｍ^３）を封入する。 - 特許庁

Here, the energy producing facility 5 supplies the produced steam, electric power, boiling water and/or air of high temperature to various facilities located at places excluding the second place 4, such as the chip manufacturing facility 3.例文帳に追加

ここで、エネルギ生成施設５は、生成したスチーム、電力、熱湯及び／又は高温の空気を、第２の場所４以外の場所に配置された種々の施設、例えばチップ製造施設３に供給するようになっている。 - 特許庁

The thin-type container 6 has a planar shape of almost trapezoidal form, a heat-receiving surface which comes in contact with a chip 3 is provided on one side in the thickness direction, and a boiling space, a set of header connection part 1, a vapor path and a liquid retaining path are provided on the other side.例文帳に追加

薄型容器６は、平面形状が略台形状であり、厚み方向の一方側にチップ３と接触する受熱面が設けられ、他方側には、沸騰空間、一組のヘッダ接続部、蒸気通路、及び液戻り通路が設けられている。 - 特許庁

A resin 30 is provided between a wiring substrate 10 with a wiring pattern 12 and a semiconductor chip 20 which has a plurality of electrodes 22 and is mounted on the wiring substrate 10 so that the electrode 22 comes into contact with the wiring pattern 12, and is hardened at a temperature lower than a boiling point of the resin 30 until the hardening reaction rate is 80% or more.例文帳に追加

配線パターン１２を有する配線基板１０と、複数の電極２２を有し電極２２が配線パターン１２と接触するように配線基板１０に搭載された半導体チップ２０との間に設けられた樹脂３０を、樹脂３０の沸点以下の温度で、硬化反応率が８０％以上になるまで硬化させる。 - 特許庁