GTO deviceとは 意味・読み方・使い方

In this temperature measuring method of the semiconductor device, the joining temperature of SiC GTO is determined by utilizing the fact that a rising time tv of a voltage Vak between an anode and a cathode as a turn-off characteristic time of SiC GTO which is a semiconductor switching element has high temperature dependency.例文帳に追加

この半導体装置の温度測定方法によれば、半導体スイッチング素子であるＳｉＣ ＧＴＯのターンオフ特性時間としてのアノード-カソード間電圧Ｖａｋの立ち上がり時間ｔｖは温度依存性が大きいことを利用して、ＳｉＣ ＧＴＯの接合温度を求めている。 - 特許庁

The SiC GTO device can control a surge voltage, generated between an anode electrode 12 and a gate electrode 13 by an off-gate current, by using a zener diode structural part 6.例文帳に追加

このＳｉＣ ＧＴＯ装置によれば、オフゲート電流によって発生するアノード電極１２とゲート電極１３との間のサージ電圧をツェナーダイオード構造部６によって抑制できる。 - 特許庁

Since current-voltage conversion is performed, using an FET for resistance substitution to memory effect of current mode which uses a GTO thyristor, a device is made smaller than S-RAM, in terms of the occupancy area and also is made shorter than D-RAM, in terms of data input/output time.例文帳に追加

［解決手段］ＧＴＯサイリスターを使って電流モードのメモリ効果を抵抗代用のＦＥＴで電流−電圧変換する事でＳ−ＲＡＭよりも占有面積を小さく、また、Ｄ−ＲＡＭよりもデータ入出力時間を縮くする。 - 特許庁

Related to a semiconductor layer (p+-AlGaN layer 6) just below a gate electrode, a semiconductor material whose band gap is larger than that forming other semiconductor layer (n-AlGaN layer 5), for example AlGaN, is used to provide a power device comprising GTO and IGBT of vertical structure.例文帳に追加

ゲート電極直下の半導体層（ｐ^+-ＡlＧaＮ層６）を、他の半導体層（ｎ-ＡlＧaＮ層５）を形成する半導体材料よりもバンドギャップの大きい半導体材料、例えばＡlＧaＮを用いて、縦型構造のＧＴＯやＩＧＢＴからなるパワーデバイスを実現する。 - 特許庁

In a semiconductor device, a cover part 15 covering a GTO thyristor element 1 contains a silicon-containing polymer, including a bridged structure using siloxane (Si-O-Si binder) in one or more parts and is formed from a first silicon-containing curable composition containing a patina catalyst, that is a hardening reactive catalyst, and an iron group containing rust.例文帳に追加

この半導体装置は、ＧＴＯサイリスタ素子１を覆う被覆部１５が、シロキサン(Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合体)による橋かけ構造を一箇所以上有する珪素含有重合体を含有し、かつ硬化反応触媒である白金系触媒、および鉄族含有錆体を含有する第１の珪素含有硬化性組成物で形成されている。 - 特許庁