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GTO thyristorとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 GTOサイリスタ
「GTO thyristor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
PRESSURE-WELDING GTO THYRISTOR例文帳に追加
圧接型GTOサイリスタ - 特許庁
To reduce spike voltage by reducing stray inductance of a lead for connecting the GTO thyristor having a snubber capacitor, thereby increasing the allowable current of a GTO thyristor.例文帳に追加
GTO サイリスタとスナバコンデンサとの間を接続するリードの漂遊インダクタンスを小さくしてスパイク電圧を低減し、GTO サイリスタの許容電流をより大きくする。 - 特許庁
A temperature detecting circuit 15 existing in an ON gate circuit 8 detects the temperature of the GTO thyristor 1 on the basis of gate-cathode voltage VGE obtained from the gate terminal 2 and the cathode terminal 3a in a monitoring period when a constant current flows to the GTO thyristor 1.例文帳に追加
オンゲート回路8内に存在する温度検出回路15は、GTOサイリスタ1に定電流が流れるモニタ期間において、ゲート端子2,カソード端子3aより得られるゲート−カソード間電圧VGEに基づき、GTOサイリスタ1の温度を検出する。 - 特許庁
To provide a reverse conducting thyristor which has, with a diode anti-parallel jointed to a GTO thyristor, no variation in insulating characteristics, with a small area at a separation part.例文帳に追加
ダイオードとGTOサイリスタとが逆並列接合された逆導通サイリスタにおいて、分離部の面積が小さくかつ絶縁特性にばらつきのない逆導通サイリスタを提供する。 - 特許庁
A GTO thyristor 1 has a cathode terminal 3b and an anode terminal 4 connectable from the exterior, in addition to a gate terminal 2 and a cathode terminal 3a for the connection with a driving circuit 5.例文帳に追加
GTOサイリスタ1は、駆動回路5との接続用のゲート端子2及びカソード端子3aに加え、外部から接続可能なカソード端子3b及びアノード端子4をさらに有している。 - 特許庁
A separation region between the diode and the GTO thyristor comprises a semiconductor substrate of a first conductive type, a thin-layer region of a second conductive type formed on its main surface, and a guard ring region of a second conductive type.例文帳に追加
ダイオードとGTOサイリスタとの間の分離領域が、第1導電型の半導体基板と、その主面に形成された第2導電型の薄層領域と、第2導電型のガードリング領域とを含む。 - 特許庁
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「GTO thyristor」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 11件
Since current-voltage conversion is performed, using an FET for resistance substitution to memory effect of current mode which uses a GTO thyristor, a device is made smaller than S-RAM, in terms of the occupancy area and also is made shorter than D-RAM, in terms of data input/output time.例文帳に追加
[解決手段]GTOサイリスターを使って電流モードのメモリ効果を抵抗代用のFETで電流−電圧変換する事でS−RAMよりも占有面積を小さく、また、D−RAMよりもデータ入出力時間を縮くする。 - 特許庁
An annular end part 23 of a second coating part 16 that coats a surface 15A of a first coating part 15 which coats a surface of an SiC GTO thyristor element 1 placed on an upper surface 3A of a copper support body 3, engages with an annular engagement groove 21 of the support body 3.例文帳に追加
この半導体装置では、銅製の支持体3の上面3Aに載置されたSiC GTOサイリスタ素子1の表面を被覆する第1の被覆部15の表面15Aを被覆する第2の被覆部16の環状の端部23が支持体3の環状の嵌合溝21に嵌合する。 - 特許庁
To provide a stopping type exciting system that prevents a shaft vibrating phenomenon of a generator that occurs in the stopping type exciting system having a high gain and an overcurrent phenomenon that occurs in a system having unilateral current conducting capability, or defects of exciting systems utilizing a conventional thyristor type exciting system, gate turn off Thyristor (GTO), or insulated gate bipolar transistor (IGBT).例文帳に追加
従来のサイリスター型励磁システムやGate Turu Off Thyristorや(GTO)及びInsultor Gate Bipola Transister(IGBT)を用いた励磁システムが有している短所、つまり、高利得を有している停止型励磁システムで発生する発電機の軸振動現象、及び短方向性電流導通能力を有しているシステムで発生する過電圧現象を予防する停止型励磁システムを提供する。 - 特許庁
In a semiconductor device, a cover part 15 covering a GTO thyristor element 1 contains a silicon-containing polymer, including a bridged structure using siloxane (Si-O-Si binder) in one or more parts and is formed from a first silicon-containing curable composition containing a patina catalyst, that is a hardening reactive catalyst, and an iron group containing rust.例文帳に追加
この半導体装置は、GTOサイリスタ素子1を覆う被覆部15が、シロキサン(Si−O−Si結合体)による橋かけ構造を一箇所以上有する珪素含有重合体を含有し、かつ硬化反応触媒である白金系触媒、および鉄族含有錆体を含有する第1の珪素含有硬化性組成物で形成されている。 - 特許庁
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