GaSbとは 意味・読み方・使い方

To provide a GaSb-base phase changing type recording film for forming a phase changing recording medium excellent in the storage stability of a recording mark and a sputtering target for forming the GaSb-base phase changing type recording film.例文帳に追加

記録マークの保存安定性に優れた相変化型記録媒体を形成するためのＧａＳｂ系相変化型記録膜およびそのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

For example, in the case of introducing a GaSb layer with 0.24 to 1.52 ML thickness with a composition x (x=1) of antimony (Sb) to the GaAs buffer layer, the InAs quantum dots can be self-formed on the GaSb layer with a high uniformity with a dot density of 1.1×10^11cm^-2 or over.例文帳に追加

たとえば、アンチモン（Ｓｂ）の組成ｘをｘ＝１にして、０．２４〜１．５２ＭＬ厚のＧａＳｂ層を導入する場合は、ＧａＳｂ層上にＩｎＡｓ量子ドットを、１．１×１０^11ｃｍ^-2以上のドット密度で、高均一に自己形成できる。 - 特許庁

GaSb-BASED PHASE-CHANGE RECORDING FILM WITH HIGH CRYSTALLIZATION SPEED, AND SPUTTERING TARGET FOR FORMING IT例文帳に追加

結晶化速度の速いＧａＳｂ系相変化型記録膜およびこのＧａＳｂ系相変化型記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット - 特許庁

As material of the compound, GaAs or one selected from the group comprising CdTe, InAs and GaSb is adopted.例文帳に追加

化合物の材料としては、ＧａＡｓとするか、または、ＣｄＴｅ、ＩｎＡｓおよびＧａＳｂからなる群から選ばれるいずれか１つとする。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer and a semiconductor device having MQW of an excellent surface texture formed on a GaSb substrate.例文帳に追加

本発明は、ＧａＳｂ基板上に形成された、表面性状の良好なＭＱＷを有する半導体ウエハ、および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The GaSb-based phase changing type recording film with a low melting point comprising an Sb-based alloy comprising 5-20% Ga in terms of atomic%, in addition, less than 5 to <20% In, and remaining part being Sb and inevitable impurities, and the target for forming the GaSb-based phase changing type recording film by sputtering, are provided.例文帳に追加

原子％でＧａ：５〜２０％を含有し、さらにＩｎ：５〜２０％未満を含有し、残部がＳｂおよび不可避不純物からなるするＳｂ基合金からなる融点の低いＧａＳｂ系相変化型記録膜、並びにこのＧａＳｂ系相変化型記録膜をスパッタリングにより形成するためのターゲット。 - 特許庁

On the surface of the substrate, a plurality of quantum rings 14 which are constituted of GaSb and have nearly an elliptical shape having an aspect ratio of not less than 2 nor more than 5 are formed.例文帳に追加

そして、その表面には、ＧａＳｂで構成された、アスペクト比が２以上５以下である略楕円形状の量子リング１４が複数形成されている。 - 特許庁

A semiconductor photocathode 1 has a p+ type semiconductor substrate 2 made of GaSb and a p- type light absorption layer 3 made of InAsSb.例文帳に追加

半導体光電陰極１は、ＧａＳｂで形成されたｐ^＋型の半導体基板２と、ＩｎＡｓＳｂで形成されたｐ^−型の光吸収層３とを備えている。 - 特許庁