Gallium compoundsとは 意味・読み方・使い方

d) III-V compounds (limited to gallium or indium compounds発音を聞く 例文帳に追加

ニ　ＩＩＩ—Ｖ族化合物（ガリウム又はインジウムの化合物に限る。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

Arsenic or its compounds (excluding Arsine and Gallium arsenide)発音を聞く 例文帳に追加

砒素又はその化合物（アルシン及び砒化ガリウムを除く。） - 日本法令外国語訳データベースシステム

(xx) Organometallic compounds of aluminum, gallium, or indium, or organic compounds of phosphorus, arsenic, or antimony発音を聞く 例文帳に追加

（二十）　アルミニウム、ガリウム若しくはインジウムの有機金属化合物又は燐、砒素若しくはアンチモンの有機化合物 - 日本法令外国語訳データベースシステム

(a) Aluminum, gallium or indium organic compounds with a purity exceeding 99.999%発音を聞く 例文帳に追加

イ　アルミニウム、ガリウム又はインジウムの有機金属化合物であって、純度が九九・九九九パーセントを超えるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

To provide equipment for the treatment of waste water containing gallium which treats waste water containing gallium discharged from manufacturing factories of compounds semiconductor wafers, manufacturing factories of devices or the like and with which gallium being a rare and valuable metal can be efficiently and completely collected and at the same time, coexistent arsenic can be removed without producing aggregated sludge containing iron.例文帳に追加

化合物半導体のウエハー製造工場、デバイス製造工場等から排出されるガリウム含有廃水を処理して、特に希少かつ有価金属であるガリウムを余すことなく効率的に回収することができ、同時に共存するヒ素を、鉄を含んだ凝集汚泥を発生することなく除去し得るガリウム含有廃水の処理装置を提供する。 - 特許庁

In this analysis method, one or more metallic compounds selected from gallium, indium, antimony and bismuth compounds are added to an electroless plating solution containing a trace amount of sulfur component to prepare an insoluble salt, and a trace amount of sulfur component is quantitatively analyzed by the transmittance of a suspension, and the electroless plating method uses the above method.例文帳に追加

微量のイオウ成分を含む無電解めっき液に、ガリウム化合物、インジウム化合物、アンチモン化合物、ビスマス化合物から選択された１以上の金属化合物を加え、不溶性の塩を作り、懸濁液の透過度で微量のイオウ成分を定量分析する分析方法と、その方法を用いた無電解めっき方法。 - 特許庁

Using plasma 26 generated from reaction gas including chlorine gas and gas of compounds (chloroform, dichloromethane, etc.) expressed with the chemical formula C_xH_yCl_z , where x, y and z are positive integers, gallium nitride based compound layers 22-24, the sapphire substrate 21 or the alumina substrate are etched.例文帳に追加

塩素ガスと、x、y及びzが正の整数である化学式C_xH_yCl_zで表される化合物（クロロホルム、ジクロルメタン等）のガスとを含む反応ガスから生成したプラズマ２６により、窒化ガリウム系化合物層２２〜２４、サファイア基板２１もしくはアルミナ基板をエッチングする。 - 特許庁