Ganasとは 意味・読み方・使い方

To provide a manufacturing method of a group III-V(N) compound semiconductor multilayer object such as GaNAs having strong potential modulation and steep concentration gradient of N atoms even on a heterointerface.例文帳に追加

強いポテンシャル変調を有するとともに、ヘテロ界面においても急峻なN原子の濃度勾配を有する、GaNAs等のIII-V(N)族化合物半導体多層体の製造方法を提供する。 - 特許庁

GaNAs CRYSTAL, METHOD FOR GROWING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE THEREWITH例文帳に追加

ＧａＮＡｓ結晶の成長方法及びＧａＮＡｓ結晶並びにＧａＮＡｓ結晶を備えた半導体装置 - 特許庁

To provide a good quality GaN based light emitting element having an active layer of GaNP or GaNAs and its manufacturing method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a high quality GaN-based light-emitting element, in which a GaNP layer or a GaNAs layer is used as an active layer and to provide its formation method.例文帳に追加

ＧａＮＰやＧａＮＡｓを活性層とした良質なＧａＮ系発光素子およびその作成方法を提供すること。 - 特許庁

The p-type GaNAs diffusion preventing layer 504 prevents Se which are n-type impurities that the n-type AlGaAs emitter layer 505 is doped with from being diffused in the p-type GaAs base layer 503 during the crystal growth or processes.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４は、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５にドーピングされたｎ型不純物であるＳｅが、結晶成長中またはプロセス中にｐ型ＧａＡｓベース層５０３に拡散することを防止している。 - 特許庁

This laser-diode pumped solid-state laser excites a solid-state laser crystal 13, which is doped with at least one of Er3+, Ho3+, Dy3+, Eu3+, Sm3+, Pm3+, and Nd3+, and Pr3+, by a laser diode 11 having an active layer formed of InGaN, InGaNAs, or GaNAs.例文帳に追加

Ｅｒ^3+、Ｈｏ^3+、Ｄｙ^3+、Ｅｕ^3+、Ｓｍ^3+、Ｐｍ^3+およびＮｄ^3+のうちの少なくとも１つとＰｒ^3+とが共ドープされた固体レーザー結晶13を、ＩｎＧａＮ、ＩｎＧａＮＡｓあるいはＧａＮＡｓからなる活性層を有するレーザーダイオード11によって励起する。 - 特許庁

On an n-type GaAs substrate 501, an n-type GaAs collector layer 502, a p-type GaAs base layer 503, a p-type GaNAs diffusion-preventing layer 504, an n-type AlGaAs emitter layer 505, and an n-type GaAs contact layer 506 are laminated in order through crystal growth.例文帳に追加

ｎ型ＧａＡｓ基板５０１上に、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層５０２、ｐ型ＧａＡｓベース層５０３、ｐ型ＧａＮＡｓ拡散防止層５０４、ｎ型ＡｌＧａＡｓエミッタ層５０５、ｎ型ＧａＡｓコンタクト層５０６が結晶成長によって順に積層されて構成されている。 - 特許庁