I/O device generationとは 意味・読み方・使い方

RANDOM NUMBER GENERATION CIRCUIT, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF TESTING I/O CELL例文帳に追加

乱数発生回路、電子機器、およびＩ／Ｏセルのテスト方法 - 特許庁

Therefore, it is made possible to perform the roll-back processing at the time of the generation of any failure without generating the destruction of media or data in the I/O device.例文帳に追加

よって、Ｉ／Ｏ装置内のメディアやデータの破壊などを招くことなく、障害発生時にロールバック処理を行うことが可能となる。 - 特許庁

Even when key input is carried out during the operation of the I/O device, the volume of the click sound is controlled so that a battery voltage is not dropped below the threshold value by a voltage drop accompanying generation of the click sound, and consequently, a usage limit level of the battery voltage can be set low.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ装置の起動中にキー入力しても、クリック音発生に伴う電圧降下で電池電圧が閾値以下に低下することがないようにクリック音量が制御されるため、電池電圧の使用限界レベルを低く設定することができる。 - 特許庁

To provide an encoding circuit for a semiconductor device and a redundancy control circuit using the same, in which an area occupied by the redundancy circuit can be reduced by employing an encoding part that uses a common encoding scheme, and time delays and unwated glitch signals are eliminated, by making simultaneous generation of a global repair signal and a repair I/O signal.例文帳に追加

共通符号化方式を使用する符号化部を用いてリダンダンシ回路が占める面積を低減でき、グローバルリペア信号とリペアＩ／Ｏ信号の生成動作が同時に行われるようにして、時間遅延や不要なグリッチ信号を除去できる半導体装置のエンコード回路及びそれを利用したリダンダンシ制御回路を提供すること。 - 特許庁

Short-circuiting wiring 125 is formed in a region on a wafer 120 including a dicing region 122, and respective electrode pads 103 for I/O signals of a plurality of devices arranged in a semiconductor device formation region 121 are short-circuited mutually and electrically via the short-circuiting wiring 125, thus suppressing the generation of plasma damage even if performing various kinds of plasma treatment to the wafer 120.例文帳に追加

ダイシング領域１２２を含むウエハ１２０上の領域に短絡配線１２５を形成し、半導体装置形成領域１２１内に配設される複数のデバイスの入出力信号用の各電極パッド１０３を短絡配線１２５を介して互いに電気的に短絡することにより、ウエハ１２０に対して各種プラズマ処理を行った場合にも、プラズマダメージの発生を抑制する。 - 特許庁