| 意味 | 例文 (65件) |
INASとは 意味・読み方・使い方
追加できません
(登録数上限)
単語を追加
意味・対訳 統合型航法攻撃システム
「INAS」を含む例文一覧
該当件数 : 65件
A second InGaAs well layer 404 is grown over the InAs islands to embed the quantum dots.例文帳に追加
前記量子ドットを埋め込むために、前記InAs島上に第２のInGaAs井戸層４０４が成長させられる。 - 特許庁
An InAs layer is grown on the surface of the sample, on which this strained distribution exists, an InAs layer is selectively grown on the exposed part of the layer 3 and microstructures, such as InAs quantum fine wires and InAs quantum dots, are formed.例文帳に追加
この歪分布が存在する試料表面にＩｎＡｓを成長させ、露出したＩｎＧａＡｓ層３上にＩｎＡｓを選択的に成長させ、ＩｎＡｓ量子細線やＩｎＡｓ量子ドットなどの微細構造を形成する。 - 特許庁
A sufficient monolayer thickness of InAs is grown on the InGaAs, to form self-assembled islands.例文帳に追加
InAsの十分なモノレイヤ等価厚みが前記InGaAs上に成長させられることによって、自己組織化島が形成される。 - 特許庁
InAs/AlSb QUANTUM CASCADE LASER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF例文帳に追加
ＩｎＡｓ／ＡｌＳｂ量子カスケードレーザー及びその作製方法 - 特許庁
The InAs islands are covered with i-type GaAs to form the quantum dots.例文帳に追加
このＩｎＡｓ島をｉ型ＧａＡｓで覆うと量子ドットが形成される。 - 特許庁
In the optical semiconductor device, an InAs layer 4b including a quantum dot equal to or smaller than a quantum dot included in an InAs layer 4a is multilayered on the InAs layer 4a through an InGaAs layer 5a.例文帳に追加
ＩｎＡｓ層４ａに含まれる量子ドットの大きさと等しいかまたは小さい量子ドットを含むＩｎＡｓ層４ｂがＩｎＧａＡｓ層５ａを介してＩｎＡｓ層４ａ上に多層化される。 - 特許庁
Then, InAs is almost not deposited on the slopes of the projecting portions, S-K mode growth of InAs is performed on the bottoms of the grooves 54, and mutually isolated InAs islands are formed.例文帳に追加
そして、凸部の傾斜面にはＩｎＡｓが殆ど堆積せず、溝５４の底部にＩｎＡｓがＳ−Ｋモード成長して、相互に離隔したＩｎＡｓ島が形成される。 - 特許庁
-
履歴機能
過去に調べた
単語を確認! -
語彙力診断
診断回数が
増える! -
マイ単語帳
便利な
学習機能付き! -
マイ例文帳
文章で
単語を理解! -
「INAS」を含む例文一覧
該当件数 : 65件
The Hall element comprises a GaAs substrate 101, an InAs layer 102 formed on the GaAs substrate 101, a surface layer 103 formed on the InAs layer 102, a passivation layer 104 formed on the surface layer 103, and electrodes 105 that ohmic-contact the InAs layer 102.例文帳に追加
ＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１の上に形成されたＩｎＡｓ層１０２と、ＩｎＡｓ層１０２の上に形成された表面層１０３と、表面層１０３の上に形成されたパッシべーション層１０４と、ＩｎＡｓ層１０２とオーミック接触する電極１０５とを備える。 - 特許庁
A supply amount of material of the InAs layer 4b is made to be not larger than a half of that of the InAs layer 4a, so that the quantum dots of the InAs layers 4a and 4b are nearly equalized to each other to suppress dislocation etc. to form a high-quality multilayered quantum dot.例文帳に追加
ＩｎＡｓ層４ｂの材料供給量は、ＩｎＡｓ層４ａの材料供給量の半分以下にすることによって、ＩｎＡｓ層４ａ，４ｂの量子ドットの大きさをほぼ等しくすることができ、転位などを抑制し、高品質の多層量子ドットが形成される。 - 特許庁
To appropriately control the size of InAs quantum dot formed on GaAs layer.例文帳に追加
ＧａＡｓ層上に形成されるＩｎＡｓ量子ドットのサイズを適切に制御する。 - 特許庁
A plurality of quantum dots 5 made of InAs are formed on an intermediate layer 4.例文帳に追加
中間層４上に、ＩｎＡｓからなる複数の量子ドット５が形成されている。 - 特許庁
The preferable thickness of the InAs layer or the InSb layer is 3 nm to 10 nm.例文帳に追加
ＩｎＡｓ層又はＩｎＳｂ層の好ましい厚みは３ｎｍから１０ｎｍである。 - 特許庁
Then, a quantum dot 611 consisting of InAs is formed by carrying out intermittent supply of In (c3).例文帳に追加
その後、Ｉｎを間欠供給してＩｎＡｓからなる量子ドット６１１を形成する（ｃ３）。 - 特許庁
A compound semiconductor layer 6 is formed as the foundation layer of the conductive layer 7.例文帳に追加
化合物半導体層６は、二元系（InP、InAs）、三元系（AlInAs、AlInP、AlGaP、AlGaAs、GaInAs、GaInP）、四元系（AlInAsP、AlGaInP、AlGaInAs、AlGaAsP、GaInAsP）、又は五元系（AlGaInAsP）からなる。 - 特許庁
In a mechanical semiconductor detecting element which is equipped with an InAs thin film 1 processed into a beam shape, and detects a minute force applied to the InAs film 1 with high sensitivity, by detecting the change in the physical properties of a semiconductor caused by elastic deformation of the InAs film 1, the InAs film 1 has jointing portions with niobium electrodes 2, 3 of superconducting materials.例文帳に追加
梁状に加工したＩnＡs薄膜１を備え、ＩnＡs薄膜１の弾性的な変形による半導体の物性変化を検出することにより、ＩnＡs薄膜１に加わった微小な力を高感度に検出するメカニカルな半導体検出素子において、ＩnＡs薄膜１が超伝導材料のニオブ電極２、３との接合部分を有する。 - 特許庁
|
| 意味 | 例文 (65件) |
|
|
ピン留めアイコンをクリックすると単語とその意味を画面の右側に残しておくことができます。 |
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
検索履歴を保存できる！
みんなの検索ランキング
閲覧履歴
 | 「INAS」のお隣キーワード |
weblioのその他のサービス
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
