LV-Nとは 意味・読み方・使い方

Coronal scanning VS is executed to acquire coronal image data CI_1-CI_n of a part including the liver LV.例文帳に追加

コロナルスキャンＶＳを実行して、肝臓ＬＶを含む部位のコロナル画像データＣＩ_１〜ＣＩ_ｎを取得する。 - 特許庁

When the difference value D(n) between the current sensor output value S(n) and the reference value B(n) gets smaller than a threshold value T, the concentration signal LV is switched from the high level to its low level.例文帳に追加

そして、現在のセンサ出力値Ｓ（ｎ）と基準値Ｂ（ｎ）との差分値Ｄ（ｎ）がしきい値Ｔよりも小さくなったとき、濃度信号ＬＶはハイレベルからローレベルに切り換えられる。 - 特許庁

This gas sensor 10 is equipped with a G element 1 capable of detecting gas, and control parts 4, 5 for inputting an output signal S(n) outputted from the G element 1, determining gas detection based on the output signal S(n), and issuing a control signal LV.例文帳に追加

ガスを検知可能なＧ素子１と、Ｇ素子１から出力される出力信号Ｓ（ｎ）が入力され、出力信号Ｓ（ｎ）に基づいてガス検知を判断し、制御信号ＬＶを発する制御部４、５とを備えたガスセンサ１０である。 - 特許庁

A DC/DC converter 24 generates a voltage k Vb which is k times larger (where, 0<k<1) than the power supply voltage Vb, and one end of each stator windings Lu, Lv, Lw in the reluctance motor 10 is applied to a connecting point N, which is commonly connected.例文帳に追加

ＤＣ−ＤＣコンバータ２４は電源電圧Ｖｂのｋ（但し、０＜ｋ＜１）倍の電圧ｋＶｂを生成して、リラクタンスモータ１０における各固定子巻線Ｌｕ、Ｌｖ、Ｌｗの一端が共通に接続された接続点Ｎに印加する。 - 特許庁

On the outer periphery of isolated semiconductor elements constituting a low potential reference circuit LV and a high potential reference circuit HV, an n-type guard ring 42c, and the like, are formed, and a deep n-type diffusion region 42b having the same conductivity type as that of the n-type guard ring buried layer 42c is formed on the buried insulating film 2b side of an active layer 2c.例文帳に追加

低電位基準回路部ＬＶおよび高電位基準回路部ＨＶを構成する絶縁分離された半導体素子の外周に、ｎ型ガードリング４２ｃ等を形成すると共に、活性層２ｃの埋込絶縁膜２ｂ側にｎ型ガードリング埋込層４２ｃ等と同じ導電型の深いｎ型拡散領域４２ｂ等を形成する。 - 特許庁

A low voltage driven n-channel transistor LV-N-LVt of a low threshold value type is formed directly on a p-type silicon substrate 1 without forming a well, and a process is reduced by integrating the ion injection process for the threshold value adjustment with the ion injection process for the threshold value adjustment of other transistor.例文帳に追加

低閾値型の低電圧駆動ＮチャンネルトランジスタＬＶ−Ｎ−ＬＶｔをウェルを形成せず、直接Ｐ型のシリコン基板１に形成するようにし、閾値調整のためのイオン注入工程を他のトランジスタの閾値調整のためのイオン注入工程と統合させることで工程の短縮を図る。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁