Laser Lithography Systemとは 意味・読み方・使い方

The excimer laser system is especially useful in the lithography environments wherein the photoresists having a wide sensitivity range are used.例文帳に追加

本発明は、広い感度範囲をもつフォトレジストが使われるリソグラフィー環境において特に有益である。 - 特許庁

A laser lithography equipment comprises a mask 2 having a pattern, laser light source 52 for writing from which laser light for lithography is irradiated on the mask 2, projection optical system 4 for imaging and projecting a pattern image of the mask 2 on a substrate 65 for wiring, substrate holding and moving mechanism 66 for holding and moving the substrate 65 for lithography, and control system 5.例文帳に追加

パタンを有するマスク２と、マスク２を描画用レーザ光により照明する描画用レーザ光源５２と、マスク２のパタン像を描画用基板６５に結像投影する投影光学系４と、描画用基板６５を保持し、描画用基板６５を移動させる基板保持移動機構６６と、制御システム５とを備える。 - 特許庁

METHOD OF MANUFACTURING FINE STRUCTURE, LASER LITHOGRAPHY SYSTEM, METHOD OF MANUFACTURING ELECTRO- OPTIC DEVICE AND APPARATUS FOR MANUFACTURING ELECTRO- OPTIC DEVICE例文帳に追加

微細構造体の製造方法、レーザ描画装置、電気光学装置の製造方法及び電気光学装置の製造装置 - 特許庁

To improve length measurement accuracy of a laser length-measuring system which is used by an electron beam lithography system, at measuring of the position of an X-Y stage by preventing the vibration of a writing chamber from being transmitted to an offset mirror which constitutes a laser optical system.例文帳に追加

電子ビーム描画装置でＸＹステージの位置測定の際に使用されるレーザ測長システムにおいて、描画室の振動がレーザ光学系を構成するオフセットミラーに伝わることを防止して、測長精度の向上を図る。 - 特許庁

A preferred embodiment in an ArF excimer laser system is configured as a MOPA (Master Oscillator Power Amplifier) and specifically designed for use as a light source for integrated-circuit pattern lithography.例文帳に追加

好適な実施形態は、MOPAとして構成され、特に集積回路パターン転写用の光源用として設計されたArFエキシマレーザシステムである。 - 特許庁

There are provided a laser that outputs a laser beam 106, a beam splitter 103 for dividing the laser beam 106 into a plurality of beams 107, and a prism 101 that forms interference fringes on a substrate by using the plurality of beams, wherein the resolution of a lithography system can be adjusted without exchanging each optical components, in an optical path of the lithography system.例文帳に追加

レーザビーム１０６を出力するレーザと、レーザビーム１０６を複数のビーム１０７に分割するビームスプリッタ１０３と、複数のビームを使用して基板上に干渉フリンジを形成するプリズム１０１とが設けられており、リソグラフィシステムの解像力が、リソグラフィシステムの光路におけるあらゆる光学コンポーネントを交換することなく調整可能である。 - 特許庁

An ArF excimer laser system is configured as a MOPA, and is particularly designed to be used as a light source of an integrated circuit lithography.例文帳に追加

ＡｒＦレーザエキシマレーザシステムの好適な実施形態は、ＭＯＰＡとして構成され、特に集積回路リソグラフィの光源として使用されるように設計される。 - 特許庁

A preferable embodiment of an ArF excimer laser system is configured as a MOPA, and is particularly designed to be used as a light source of an integrated circuit lithography.例文帳に追加

ＡｒＦレーザエキシマレーザシステムの好適な実施形態は、ＭＯＰＡとして構成され、特に集積回路リソグラフィの光源として使用されるように設計される。 - 特許庁