Low frequency power transistorsとは 意味・読み方・使い方

To provide a compact and low-cost high-frequency power amplifier including GaAs heterobipolar transistors (HBTs) but having a low level of noise in the reception band.例文帳に追加

受信帯域ノイズレベルが低く、小型で低コストなＧａＡｓヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を用いた高周波電力増幅器を提供する。 - 特許庁

To provide a circuit which is operable with low power consumption and at a high frequency and resistant to variations in the characteristics of thin-film transistors (TFTs) by forming a data reading circuit that operable at a low voltage signal.例文帳に追加

低電圧信号で動作可能なデータ読み取り回路を作り、低消費電力・高周波数動作可能でなおかつＴＦＴの特性ばらつきにも強い回路を提供することを課題とする。 - 特許庁

The amplifying elements Q1 and Q2 are composed of gallium arsenide field effect transistors or gallium arsenide high-electron- mobility transistors, the video signal amplifier which has excellent high-frequency characteristics and low power consumption thereby can be obtained because of high-electron-mobility characteristics that those elements have.例文帳に追加

増幅素子Ｑ１及びＱ２を、ガリウム砒素電界効果トランジスタ或いはガリウム砒素高電子移動度トランジスタで構成したことにより、これら素子のもつ高電子移動度特性により、高周波特性が良好でかつ低消費電力のビデオ信号増幅装置が得られる。 - 特許庁

Consequently, no oscillation condition is satisfied and a stable combined power amplifier can be realized in a frequency domain of a low frequency band where oscillation occurs and the gain of the field effect transistors 3 and 4 is high and in each harmonic frequency that occurs as a distortion component.例文帳に追加

その結果、発振が生じる、電界効果トランジスタ３，４の利得が高い低周波帯域の周波数領域や、歪み成分として生じる各高調波の周波数において、発振条件を満足させることがなくなり、安定な電力合成型増幅器を実現できる。 - 特許庁

To improve detection sensitivity in an area where the low output level of an amplifier is low, and to reduce the effect of output impedance upon a detection output, in a high frequency power amplification circuit of a multi-stage configuration wherein a plurality of power amplification transistors is cascaded.例文帳に追加

複数の電力増幅用トランジスタが縦続接続された多段構成の高周波電力増幅回路において、増幅器の出力レベルが低い領域での検波感度を向上させるとともに、検波出力に対する出力インピーダンスの影響を低減させる。 - 特許庁

A protective circuit of two or more multi-stage connection transistors in diode connection with small parasitic capacitance and no possibility of malfunction, even if input signal more than power supply voltage is applied, is assembled in the internal circuit operated at high frequency band, while a protective circuit made up of a transistor in one diode connection is assembled in the internal circuit operated at low frequency band.例文帳に追加

高周波数帯で動作する内部回路には、寄生容量が小さく、電源電圧以上の入力信号が印加されても誤動作しないダイオード接続した複数のトランジスタによる多段接続の保護回路を組み込み、低周波数帯で動作する内部回路には一つのダイオード接続のトランジスタによる保護回路を組み込む。 - 特許庁