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O layerとは 意味・読み方・使い方
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「O layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 451件
The protective layer 2 contains at least one selected from Cr-O, Zn-O, Ga-O, In-O, Sn-O, Sb-O, Bi-O, and Te-O.例文帳に追加
保護層2は、Cr−O、Zn−O、Ga−O、In−O、Sn−O、Sb−O、Bi−O及びTe−Oから選ばれる少なくともいずれか1種を含む。 - 特許庁
The recording layer 3 contains at least one selected from Cr-O, Zn-O, Ga-O, In-O, Sn-O, Sb-O, Bi-O, and Te-O.例文帳に追加
記録層3は、Cr−O、Zn−O、Ga−O、In−O、Sn−O、Sb−O、Bi−O及びTe−Oから選ばれる少なくともいずれか1種を含む。 - 特許庁
The transparent moisture barrier film is formed by sequentially laminating a silicon oxynitride layer (1) on a resin substrate and further a silicon oxynitride layer (2) on the layer (1), wherein an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (1) is smaller than an element concentration ratio of O/(O+N) in the silicon oxynitride layer (2).例文帳に追加
樹脂基材上に窒化酸化珪素層 、さらにその上に窒化酸化珪素層 の順に積層し構成された透明水蒸気バリアフィルムにおいて、窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)が窒化酸化珪素層 の元素濃度比O/(O+N)よりも小さいことを特徴とする透明水蒸気バリアフィルム。 - 特許庁
The photoresist is removed, the metal layer is then dissolved by an aqueous solution of persulfuric acid soda (NaSO_3-O-O-O_3SNa), and air bridge wiring is formed.例文帳に追加
フォトレジストの除去後、過硫酸ソーダ(NaSO_3-O-O-O_3SNa)水溶液で金属層を溶解し、エアブリッジ配線を形成する。 - 特許庁
The insulating barrier layer 5 is formed of Ti-O.例文帳に追加
絶縁障壁層5はTi−Oで形成される。 - 特許庁
The deviation (eccentricity) of the origin (O) of the first layer and the rotation center (O') of a turntable and a rotation angle (θO) are calculated (49) from the position of the alignment mark.例文帳に追加
アライメントマークの位置から第1の層の原点(O)とターンテーブルの回転中心(O')とのずれ(偏心)と、回転角(θ_0)を算出する(49)。 - 特許庁
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「O layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 451件
The recording layer comprises an (a) layer containing SiC and O (oxygen), a (b) layer laminating an SiO_2 layer and an SiC layer to this order, a (c) layer laminating the SiC layer and the SiO_2 layer to this order.例文帳に追加
(a)SiCとO(酸素)とを含有する層、(b)SiO_2層とSiC層をこの順に積層した層、(c)SiC層とSiO_2層とをこの順に積層した層 - 特許庁
The layered product contains at least each of a polyester film layer, a metal layer (M layer), and a metallic oxide layer (O layer).例文帳に追加
ポリエステルフィルム層と金属層(M層)と金属系酸化物層(O層)を少なくともそれぞれ1層含む積層体とする。 - 特許庁
A first high-resistance layer 22A comprising cadmium oxide (Gd-O) is formed in a storage layer 20, together with a second high-resistance layer 22B comprising aluminum oxide (Al-O) or silicon oxide (Si-O).例文帳に追加
記憶層20に、酸化ガドリニウム(Gd−O)よりなる第1高抵抗層22Aと、酸化アルミニウム(Al−O)または酸化シリコン(Si−O)よりなる第2高抵抗層22Bとを設ける。 - 特許庁
Moreover, the layer of Al_2O_3 is made to include the supplementary layer of at least one layer containing Al, Si and O.例文帳に追加
さらに、Al_2O_3層は、Al、Si及びOを含有する少なくとも1層の副層を含む。 - 特許庁
The (Ni, Zn)O layer 3 is preferably composed of a sintered body.例文帳に追加
(Ni,Zn)O層3は焼結体からなることが好ましい。 - 特許庁
The single layer pad 103 is formed on the I/O buffer 102.例文帳に追加
単層パッド103は、I/Oバッファ102上に形成されている。 - 特許庁
The lower layer 31 is formed by any of Ta-Si-O, Ta-Si-O-N, Ta-Si-Al-O, or Ta-Si-Al-O-N, and the heat generating resistor layer 33 is also formed by the same composition.例文帳に追加
下部層31はTa−Si−O、Ta−Si−O−N、Ta−Si−Al−O又はTa−Si−Al−O−Nのいずれかで形成され、発熱抵抗層33も同様の組成で形成される。 - 特許庁
A magnetoresistive effect element having a high magnetoresistive effect is obtained by forming a high-polarizability layer having a thickness of ≤10 nm in contact with the interface between a nonmagnetic layer and an intermediate layer as an Fe-rich Fe-O layer and heat-treating the Fe-O layer into a ferromagnetic Fe-O layer.例文帳に追加
非磁性層中間層界面に接して10nm以下の厚さの高分極率層を、FeリッチなFe—O層として形成し、熱処理によって強磁性Fe−O層の積層膜とし、これによって高い磁気抵抗効果を有する磁気抵抗効果素子を得る。 - 特許庁
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