Ga-Oとは 意味・読み方・使い方

In In-M-Zn-O, M means Ga, Al and Fe, and it may contain them.例文帳に追加

但し、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ−Ｏにおいて、ＭはＧａ，Ａｌ，Ｆｅであり、これらを含んでいてもよいことを示す。 - 特許庁

In the oxide phosphor which has Ce as a light-emitting element, comprises Gd, Al, Ga, and O, and is composed of a host crystal mainly having a garnet structure, the Fe content is set at 35 wt. ppm or less, preferably 30 wt. ppm or less on the basis of the weight of the phosphor.例文帳に追加

Ceを発光元素とし、Gd、Al、Ga、Oを含み、主にガーネット構造の母体結晶からなる酸化物蛍光体において、Feの含有量を、蛍光体重量に対して35重量ppm以下、好ましくは30重量ppm以下とする。 - 特許庁

A single crystal belonging to a point group 32, having a Ca_3Ga_2Ge_4O_14 type crystal structure, principally comprising Ca, Nb, Ga, Si and O, and represented by the chemical formula Ca_3NbGa_3Si_2O_14 is used as the material of the piezoelectric substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１の材料には、点群３２に属し、Ca_3Ga_2Ge_4O_14型結晶構造を有し、その主要成分がCa、Nb、Ga、SiおよびＯよりなり、化学式Ca_3NbGa_3Si_2O_14で表される単結晶が用いられる。 - 特許庁

A single crystal which belongs to the group of dots 32, has a Ca3Ga2Ge4 O14 type crystal structure, has its main components consisting of La, Ta, Ga and O and is expressed by a chemical formula La3Ta0.5 Ga5.5 O14 is used for the material of the substrate 1.例文帳に追加

圧電基板１の材料には、点群３２に属し、Ca_3Ga_2Ge_4O_14型結晶構造を有し、その主要な成分がLa、Ta、GaおよびＯよりなり、化学式La_3Ta_0.5Ga_5.5O_14で表される単結晶が用いられる。 - 特許庁

This film-forming method comprises the steps of: setting a target 2 containing In, Ga and Zn; sputtering the target 2 in an atmospheric gas containing oxygen gas, nitrogen gas and an inert gas, while applying pulse voltage alternately to a plurality of cathodes 3 and 4; and thereby introducing nitrogen into an In-Ga-Zn-O film to form the p-type In-Ga-Zn-O film.例文帳に追加

Ｉｎ，Ｇａ，及びＺｎを含むターゲット２を用い、酸素ガス，窒素ガス及び不活性ガスを含む雰囲気下で、複数のカソード３，４に交互にパルス電圧を印加してスパッタすることにより、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜中に窒素を導入し、ｐ型のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を成膜する。 - 特許庁

To increase oxygen ion conductivity and electron conductivity by producing a sintered body having a perovskite crystalline structure and comprising specified proportions of La, Ga, Ni and O and one or more elements of Sr. Ca and Ba.例文帳に追加

酸素イオン伝導性、電子伝導性及び酸素透過性を有するＬａＧａＯ_3系焼結体を提供する。 - 特許庁

This transparent conductive film is substantially made of In, Sn, Ga, and O with resistivity of less than 250 μΩ.cm and the maximum vertical interval of surface unevenness (Z-max)/film thickness (t) of less than 10%, and it is preferable that Ga, In, and Sn are included in this film at an atomic ratio Ga/(In+Sn+Ga) of 2-9%.例文帳に追加

実質的にインジウム、スズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であり、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の割合で含有されていることが好ましい。 - 特許庁

A solar cell includes an n-layer containing In, Ga, Zn and O, and an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明は、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有するｎ層を備え、このｎ層中のＩｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である太陽電池である。 - 特許庁