POLAR SEMICONDUCTORとは 意味・読み方・使い方

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

To successfully form a polar electrode within a fine aperture in a semiconductor device so-called CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、微細な開口部内に柱状電極を良好に形成する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 15 is provided on the semi-polar principal surface 13a.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。 - 特許庁

A semiconductor laminated layer 19 of a group III nitride semiconductor laser element 11 is manufactured not on a c-plane of a substrate 17, but on a semi-polar plane 17a thereof.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor substrate includes a principal surface 11a which is a polar surface or a semi polar surface and a backside 11b and includes P or As as a group V element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a nitride semiconductor laser using a non-polar or semi-polar wafer wherein orientation of a laser cavity can be performed easily.例文帳に追加

レーザキャビティの向きづけを容易に行うことが可能であり、非極性または半極性ウエハを用いて、窒化物半導体レーザを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The internal through-electrode 12 is formed of a conductive film whose film thickness is thin by arranging a polar semiconductor with an equal interval space.例文帳に追加

内部貫通電極１２は、等間隔のスペースで柱状半導体を配置することで、薄い膜厚の導電膜により形成することができる。 - 特許庁