「POLAR SEMICONDUCTOR」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To produce a group III nitride semiconductor whose main surface is a non-polar plane or a semi-polar plane excellent in crystallinity and surface flatness.例文帳に追加

結晶性、表面平坦性に優れた非極性面や半極性面を主面とするIII 族窒化物半導体を製造すること。 - 特許庁

To form an n-type electrode of low contact resistance on the nitrogen polar surface of a GaN-based semiconductor.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体の窒素極性面上に、コンタクト抵抗の低いｎ型電極を形成する。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

To successfully form a polar electrode within a fine aperture in a semiconductor device so-called CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、微細な開口部内に柱状電極を良好に形成する。 - 特許庁

The GaN-based semiconductor region 15 is provided on the semi-polar principal surface 13a.例文帳に追加

ＧａＮ系半導体領域１５は半極性主面上１３ａに設けられる。 - 特許庁

A semiconductor laminated layer 19 of a group III nitride semiconductor laser element 11 is manufactured not on a c-plane of a substrate 17, but on a semi-polar plane 17a thereof.例文帳に追加

III族窒化物半導体レーザ素子１１の半導体積層１９は、基板１７のｃ面ではなく半極性面１７ａ上に作製される。 - 特許庁

The group III-V compound semiconductor substrate includes a principal surface 11a which is a polar surface or a semi polar surface and a backside 11b and includes P or As as a group V element.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板は、極性面または半極性面である主面１１ａと裏面１１ｂとを含み、Ｖ族元素としてＰまたはＡｓを含んでいる。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a nitride semiconductor laser using a non-polar or semi-polar wafer wherein orientation of a laser cavity can be performed easily.例文帳に追加

レーザキャビティの向きづけを容易に行うことが可能であり、非極性または半極性ウエハを用いて、窒化物半導体レーザを製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a non-polar (Al, B, In, Ga)N quantum well, heterostructure material, and a nitride semiconductor device.例文帳に追加

非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。 - 特許庁

The internal through-electrode 12 is formed of a conductive film whose film thickness is thin by arranging a polar semiconductor with an equal interval space.例文帳に追加

内部貫通電極１２は、等間隔のスペースで柱状半導体を配置することで、薄い膜厚の導電膜により形成することができる。 - 特許庁

The nitride semiconductor crystal 2 is formed by an MOCVD method etc., and its growing surface grows on the non- or semi-polar surface.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＭＯＣＶＤ法等によって形成され、その成長表面が非極性面又は半極性面で成長する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride-based semiconductor light emitting element, by excellent crystal growth, on a semi-polar nitride gallium surface.例文帳に追加

半極性を示す窒化ガリウム表面に良好な結晶成長により、窒化物系半導体発光素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element manufacturing method which can provide excellent contact resistance to a semi-polar group III nitride.例文帳に追加

半極性III族窒化物に対して良好な接触抵抗を提供できる、III族窒化物半導体素子を作製する方法を提供する。 - 特許庁

A nitride semiconductor crystal 2 is grown on a non- or semi-polar surface of an SiC substrate 1.例文帳に追加

窒化物半導体結晶２は、ＳｉＣ基板１の非極性面又は半極性面上に、結晶成長させる。 - 特許庁

METHOD OF GROWING SEMI-POLAR NITRIDE SINGLE CRYSTAL THIN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

半極性窒化物単結晶薄膜の成長方法及びこれを用いた窒化物半導体発光素子の製造方法 - 特許庁

This agent has the components of a semiconductor metal oxide, an alkaline earth metal oxide, and a polar resin such as a polyester resin, a phenol resin, and the like.例文帳に追加

半導体金属酸化物、アルカリ土類金属の酸化物及びポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の極性樹脂を成分とする。 - 特許庁

POLAR POLYMER, PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN AND METHOD FOR FORMING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

有極性重合体、感光性組成物、レジストパターン及びその形成方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 - 特許庁

To allow resist residual hard to be produced in a semiconductor device called CSP when a resist film for forming a polar electrode is peeled off.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにする。 - 特許庁

To provide a bi-polar semiconductor circuit device capable of increasing an operation guaranteeing temperature range to a low temperature side.例文帳に追加

動作保証温度範囲を低温側に広げることができるバイポーラ半導体回路装置を提供する。 - 特許庁

This can form a compound semiconductor substrate in which a desired polar face can be used both on a first surface and a second surface.例文帳に追加

これにより、表面と裏面の双方において、所望の極性面を用いることができる化合物半導体基板とすることができる。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element including a semi-polar epitaxial film having a favorable surface morphology.例文帳に追加

良好な表面モフォロジを有する半極性のエピタキシャル膜を含むIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate in which a desired polar face can be used both on a first surface and a second surface.例文帳に追加

表面と裏面の双方において、所望の極性面を用いることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The light emitting element 2 is constituted of a nitride semiconductor having a nonpolar surface or semi-polar surface as a principal surface.例文帳に追加

この発光素子は非極性面又は半極性面を主面とする窒化物半導体により構成される。 - 特許庁

In this method of determining the face polarity of the polar semiconductor, the scattered light obtained by irradiating the polar semiconductor with the excitation light is measured to determine the the face polarity, based on the measured spectrum of the Raman scattered light.例文帳に追加

極性半導体の面極性を判定する方法において、極性半導体に励起光を照射して得られるラマン散乱光を測定し、測定したラマン散乱光スペクトルから面極性を判定することを特徴とする極性半導体の面極性判定方法。 - 特許庁

The method includes growing a nitride semiconductor layer on a GaN substrate having a non-polar or semi-polar crystal plane, the upper surface of which has a predetermined angle of intersection with respect to the c plane, patterning the nitride semiconductor layer, and forming light emitting cells separated from one another.例文帳に追加

この方法は、上部表面がｃ面に対して一定の交差角をなす非極性または半極性の結晶面を有するＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させ、前記窒化物半導体層をパターニングし、互いに分離された発光セルを形成することを含む。 - 特許庁

Further, a nitride semiconductor light emitting element has a nitride semiconductor layer having a polar plane at least partially, a p-type nitride semiconductor layer, and an active layer laminated in order on an n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、ｎ型窒化物半導体層上に、少なくとも一部に極性面を有する窒化物半導体層、ｐ型窒化物半導体層および活性層が順に積層されている窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁

The sulfide compound semiconductor is obtained by producing a sulfide compound semiconductor containing Cu, Zn, Sn and S in the presence of Na, and by washing the sulfide compound semiconductor, using a polar solvent.例文帳に追加

Ｎａ共存下において、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体を製造し、極性溶媒を用いて前記硫化物系化合物半導体を洗浄することにより得られる硫化物系化合物半導体。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element such as a dye-sensitized wet-type solar cell having a semiconductor electrode 12 using an oxide semiconductor such as titanium oxide and other inorganic semiconductors, a ring fusion porphyrin complex having at least one polar group is bonded with the semiconductor electrode 12 as sensitizing dyes through the polar group.例文帳に追加

酸化チタンのような酸化物半導体その他の無機半導体を用いた半導体電極１２を有する色素増感型湿式太陽電池などの光電変換素子において、半導体電極１２に増感色素として、少なくとも一つの極性基を有する環融合型ポルフィリン錯体を、この極性基を介して結合させる。 - 特許庁

The semiconductor device is formed of a zinc oxide semiconductor having a hexagonal crystal structure and comprises a substrate 1 where four side surfaces orthogonal to a first main surface 111 being a polar surface are adjoined to the first main surface 111 at an angle 40-50° with respect to a reference non-polar surface orthogonal to the first main surface 111, and a semiconductor layer 2 arranged on the first main surface 111.例文帳に追加

六方晶構造の酸化亜鉛系半導体からなり、極性面である第１の主面１１１、及びその第１の主面１１１に対し直交する基準の非極性面と４０度乃至５０度の角をなして第１の主面１１１と直交する４つの側面を第１の主面１１１に隣接させた基板１と、第１の主面１１１上に配置された半導体層２とを備える。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride based semiconductor optical element having a sufficient light emitting characteristic on a semi-polar main face of a gallium nitride based semiconductor region.例文帳に追加

窒化ガリウム系半導体領域の半極性主面上に、良好な発光特性を有する窒化物系半導体光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor includes a step of preparing a (11-23) plane sapphire substrate and a step of growing a non-polar m-plane (10-10) nitride semiconductor on the sapphire substrate.例文帳に追加

ほぼ（１１−２３）面であるサファイア基板を備える段階と、上記サファイア基板上に非極性ｍ面（１０−１０）窒化物半導体を成長させる段階と、を含む窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a group III nitride semiconductor substrate which can grow a high quality group III nitride semiconductor layer on a non-polar surface of a base substrate.例文帳に追加

下地基板の無極性面上に高品質のIII族窒化物半導体層を成長させ得る、III族窒化物半導体基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element enabling light emission having a large polarization ratio using a group-III nitride semiconductor with a nonpolar or semi-polar surface as a growth main surface.例文帳に追加

非極性面または半極性面を成長主面としたIII族窒化物半導体を用いて、偏光比の大きな発光が可能な半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor single crystal wherein a nitride semiconductor film of non-polar (10-10) plane is formed on an Si substrate in thickness of ≥1 μm, and it is preferably used also for a light emitting device.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、無極性面である（１０-１０）面の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device into which a BiCOMS semiconductor device capable of constituting a bi-polar transistor capable of reducing a collector resistance without forming any epitaxial layer is integrated.例文帳に追加

エピタキシャル層を形成しなくても、コレクタ抵抗を低くできるバイポーラトランジスタを構成できるＢｉＣＭＯＳ半導体装置を集積化した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor single crystal in which a nitride semiconductor film having a thickness of 1 μm or more of (11-20) plane being a non-polar plane on an Si substrate, and which can be preferably used also for light emission devices.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、無極性面である（１１−２０）面の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor single crystal which is formed on an Si substrate as a nitride semiconductor film having semi-polar (10-1m) plane (m: natural number) in a thickness of 1 μm or more and can be preferably used for a light emitting device.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に、半極性面である（１０-１ｍ）面（ｍ：自然数）の窒化物半導体膜が厚さ１μｍ以上で形成され、発光デバイスにも好適に用いることができる窒化物半導体単結晶を提供する。 - 特許庁

A group III nitride semiconductor element 41 comprises a substrate 55 having a semi-polar principal surface, a gallium nitride-based semiconductor layer 51 formed on the principal surface 55a of the substrate 55 and an electrode 53a contacting a principal surface 51a of the gallium nitride-based semiconductor layer 51.例文帳に追加

III族窒化物半導体素子４１は、半極性主面を有する基板５５と、基板５５の主面５５ａ上に設けられた窒化ガリウム系半導体層５１と、窒化ガリウム系半導体層５１の主面５１ａに接触を成す電極５３ａとを備える。 - 特許庁

In a semiconductor light-emitting element in which a semiconductor layer is formed on a substrate having a crystal growth surface of a non-polar plane or a semipolar plane, a semiconductor layer has a first side surface and a second side surface, and the average inclination of the second side surface is larger than that of the first side surface.例文帳に追加

非極性面又は半極性面を結晶成長面とする基板上に半導体層が形成された半導体発光素子であって、半導体層は、第１の側面と第２の側面とを有し、第２の側面の平均勾配は、第１の側面の平均勾配よりも大きい。 - 特許庁

The output unit 5 can output the intensity distribution of laser beam on the line 11 while converting it into the intensity distribution on a polar coordinate- centering the emission point 101 of the semiconductor laser device 1.例文帳に追加

出力装置５は、直線１１上におけるレーザービームの強度分布を、半導体レーザー装置１の発光点１０１を中心とする極座標上の強度分布に変換して出力することができる。 - 特許庁

The bias generating circuit 140 generates polar bias signals opposite to the output of the driver circuit 120 at the time when the semiconductor laser 111 is driven.例文帳に追加

バイアス発生回路１４０は、半導体レーザ１１１の駆動時におけるドライバ回路１２０の出力と反対極性のバイアス信号を発生する。 - 特許庁

Irradiating the organic semiconductor layer 13 with light timewise maintains the drain current of the organic field-effect transistor 1 when the polar molecule is not detected to stabilize it.例文帳に追加

有機半導体層１３に光を継続的に照射することで、極性分子を検出していない場合の有機電界効果トランジスタ１のドレイン電流が時間的に一定となり安定する。 - 特許庁

The modified principal surface 51a of the gallium nitride-based semiconductor layer 51 changes by modification treatment from the original semi-polar surface to a surface having a step structure including an m plane.例文帳に追加

改質処理により、窒化ガリウム系半導体層５１の改質された主面５１ａは、元の半極性面から変化して、ｍ面を含むステップ構造を有するものになる。 - 特許庁

The method may further include a step of growing a buffer layer having an m-plane hexagonal structure on the sapphire substrate before growing the non-polar m-plane nitride semiconductor.例文帳に追加

前記非極性ｍ面窒化物半導体を成長させる段階の前に、前記サファイア基板上にｍ面六方晶構造を有する緩衝層を成長させる段階をさらに含んでいてもよい。 - 特許庁

The organic thin film transistor comprises a substrate, a gate electrode, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode, and an organic semiconductor layer wherein the gate insulating layer comprises a layer of organic insulator having a polar group.例文帳に追加

基板と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極と、ドレイン電極と、有機半導体層とからなり、 前記ゲート絶縁層は、極性基を有する有機絶縁体からなる層を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁