Plasma Ashing Systemとは 意味・読み方・使い方

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND PLASMA ASHING SYSTEM例文帳に追加

半導体装置の製造方法及びプラズマ灰化装置 - 特許庁

Organic substances and foreign substances are removed by mounting a plasma ashing apparatus 200, which covers the wafer holder 7 when cleaning and generates a plasma on the exposure system used in the photolithographic process for semiconductor manufacturing, and then by plasma- ashing the wafer holder.例文帳に追加

半導体製造のホトリソグラフィ工程で使用される露光装置に、ウェーハホルダ７のクリーニング時にウェーハホルダを覆ってプラズマを発生させるプラズマアッシング装置２００を装着して、ウェーハホルダをプラズマアッシングすることにより、有機物・異物を除去する。 - 特許庁

Resist ashing is performed under such conditions as the ratio Z between the quantity of hydrogen X and the quantity of other elements Y in the plasma of an ashing system does not exceed 6.4×10-2 or the ratio of emission intensity between oxygen radicals and hydrogen radicals under ashing does not exceeds 1.80 or the residence time of hydrogen in the plasma process does not exceeds 0.08 sec.例文帳に追加

レジストアッシング時に、アッシャー装置のプラズマ中の水素量Ｘとその他の元素量Ｙとの比Ｚが６．４×１０^-2以下となる条件で処理し、或いはアッシング中の酸素ラジカル発光強度と水素ラジカルの発光強度の比が１．８０以下となるように処理し、あるいはプラズマプロセス中の水素のレジデンスタイムを０．０８(sec)以下となる条件で処理する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method wherein, when a resist pattern is removed by an ashing process of a low temperature RIE system, it is possible to remove a polymer in a side wall around a substrate and a bevel with a simple configuration.例文帳に追加

レジストパターンを低温ＲＩＥ方式のアッシング処理で除去する際、基板周辺の側壁部やベベル部のポリマーの除去を、簡単な構成により可能にするプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a low dielectric film having little damage that is affected when organic substance leaves when plasma treatment, such as etching treatment and ashing treatment is performed to a low dielectric film of a silicon oxide system containing organic substance, and a semiconductor device provided with the low dielectric film.例文帳に追加

有機物を含むシリコン酸化物系の低誘電率膜に対してエッチング処理やアッシング処理などのプラズマ処理を行った時に、有機物が脱離することによって受けるダメージの少ない低誘電率膜及びこの低誘電率膜を備えた半導体装置を得ること。 - 特許庁

To provide a parallel plate plasma processing system, and a method for fabricating a semiconductor device using the plasma processing system, in which the probability of charge-up damage can be lowered at the time of ashing or etching and machining for fabricating a good device can be carried out without varying the permittivity of an interlayer insulation film before and after etching.例文帳に追加

平行平板型プラズマ処理装置において、アッシングまたはエッチング時のチャージアップ・ダメージを受ける確率を低くすることができ、かつエッチング前後で層間絶縁膜の誘電率を大きく変化させてしまうことなく良好なデバイス形成のための加工を行うことができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁