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When the width W of a depletion layer of a MOS capacitor that is formed in the second region 16 under the gate insulating film 19 when a power voltage is applied to the gate electrode 20 is given as W=√(2εϕ/qNa), the thickness Tsi of the second region 16 that is perpendicular to the direction of the gate length Lg is smaller than the width W of the depletion layer.例文帳に追加
ゲート電極２０に電源電圧を印加したときに、ゲート絶縁膜１９下の第２領域１６に形成されるＭＯＳキャパシタの空乏層の幅Ｗを、Ｗ＝√（２εφ／ｑＮａ）としたとき、ゲート長Ｌｇと直交する方向の第２領域１６の厚さＴｓｉが、空乏層の幅Ｗより小さい。 - 特許庁
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