Radical 102とは 意味・読み方・使い方

(R^101, R^102 represent, independently, an alkyl radical, an aryl group, a heteroaryl group, a fluorine atom or a silyl group, and may be substituted with these group or an amino group. A^A1-A^A9 represent, independently, CH(hydrogen atom of CH may be substituted with R^102) or a nitrogen atom).例文帳に追加

（Ｒ^101、Ｒ^102はそれぞれ独立にアルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、フッ素原子又はシリル基を表し、さらにこれらの基またはアミノ基で置換されていてもよい。Ａ^A1〜Ａ^A9は夫々独立にＣＨ（ＣＨの水素原子はＲ^102で置換されていてもよい）又は窒素原子を表す）。 - 特許庁

A treatment chamber 101 is a chamber performing radical treatment on the surface of a processed substrate 102 of semiconductor, or the like, and a gas introduction means 105 is provided between a region 111 where radicals are generated by a radical generating means 108 and a means 103 for supporting the processed substrate.例文帳に追加

処理室１０１は、半導体等の被処理基体１０２の表面のラジカル処理を行う室であり、ガス導入手段１０５は、ラジカル生成手段１０８により生成されるラジカル生成領域１１１と、被処理基体支持手段１０３との間に設けられる。 - 特許庁

The organic radical compound as the active material is a nitroxyl compound which has an N-oxoammonium cation partial structure in an oxidization state and a nitroxyl radical partial structure in a reduction state, and the electrode has a plurality of holes 108 in an electrode active material layer 101 formed on a collector 102.例文帳に追加

活物質としての有機ラジカル化合物は、酸化状態においてＮーオキソーアンモニウムカチオン部分構造をとり、還元状態においてニトロキシルラジカル部分構造をとるニトロキシル化合物であり、集電体１０２上に形成された電極活物質層１０１中に複数の孔１０８を有する。 - 特許庁

The radical generating device is provided with a vacuum exhaust port 107 of exhausting air in a chamber 101 and a gas introduction tube 102 of feeding a discharge gas, and a backing plate 105 and a target 106 are fitted to a cathode 104.例文帳に追加

チャンバー１０１内の空気を排出する真空排気口１０７と放電ガスを供給するガス導入管１０２とを備え、カソード１０４にはバッキングプレート１０５とターゲット１０６が取り付けられている。 - 特許庁

A second insulating film 102 is then formed on the first insulating film 101 by causing a chemical reaction of insulating film deposition gas as second gas supplied to the vicinity of the substrate to be processed 100 with oxygen radical as active species produced from surface wave plasma.例文帳に追加

表面波プラズマから生成された活性種としての酸素ラジカルにより被処理基板１００近傍に供給された第２のガスとしての絶縁膜成膜用ガスを化学反応させて、第１の絶縁膜１０１上に第２の絶縁膜１０２を形成する。 - 特許庁

By keeping up such a state for a prescribed time, the particles (Ti atom) 141 sputtered from the heated target 102 are oxidized by an activated oxygen such as oxygen ion or oxygen radical in the ECR plasma and are deposited on the substrate 103 to form the titanium oxide film 112 thereon.例文帳に追加

この状態を所定時間継続することで、加熱されたターゲット１０２よりスパッタされている粒子（Ｔｉ原子）１４１が、ＥＣＲプラズマ中の酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性化された酸素により酸化されて基板１０３の上に堆積し、基板１０３の上に酸化チタン膜１１２が形成される。 - 特許庁

A flexible sleeve (106) is disposed in a generally cylindrical form between the first and second rings (102, 104), the second ring may be rolled over itself (turned over) and around the annular axis to provide a sleeve with a radical retraction force sufficient to stretch the incision to the desired diameter.例文帳に追加

可撓性スリーブ（１０６）が、第１及び第２のリング（１０２，１０４）相互間に全体的に円筒形の形態で設けられ、第２のリングは、切開部を所望の直径まで引き伸ばすのに十分な半径方向後退力をスリーブに与えるよう環状軸線回りにそれ自体転がされる（ひっくり返される）。 - 特許庁