Si epitaxialとは 意味・読み方・使い方

A porous Si layer 29 is formed on a non-porous Si layer 28 by anodizing an Si wafer, and epitaxial Si layers 24 and 25 are formed on the porous Si layer 29, and the epitaxial Si layer 25 and an A151 adhered to a supporting substrate 52 are thermally melt-stuck and alloyed so that the A151 and the epitaxial Si layer 52 can be strongly adhered to each other.例文帳に追加

Ｓｉウェハを陽極化成して非多孔質Ｓｉ層２８上に多孔質Ｓｉ層２９形成し、多孔質Ｓｉ層２９上に、エピタキシャルＳｉ層２４，２５を形成して、エピタキシャルＳｉ層２５と、支持基板５２に密着したＡｌ５１を熱溶着して合金化しＡｌ５１とエピタキシャルＳｉ層２５を強固に密着させる。 - 特許庁

An SiC epitaxial layer 2 is formed on an Si substrate 1, and an Si epitaxial layer 3 is formed on a protrusion part 2t of the SiC epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｓｉ基板１上にＳｉＣエピタキシャル層２が形成され、ＳｉＣエピタキシャル層２の突出部２ｔ上にＳｉエピタキシャル層３が形成される。 - 特許庁

A dozens to hundreds nm-thick Si epitaxial layer 106 is formed by performing epitaxial growth for Si on an SiC epitaxial layer 104 at 1,050 to 1,250°C by using mixture gas of SiH_4, N_2 by CVD.例文帳に追加

ＣＶＤによりＳｉＨ_４，Ｎ_２の混合ガスを用いて１０５０〜１２５０℃で、ＳｉＣエピタキシャル層１０４の上に、Ｓｉをエピタキシャル成長させて、Ｓｉエピタキシャル層１０６を膜厚数十〜数百ｎｍ形成する。 - 特許庁

The silicon epitaxial wafer includes at least a strained SiGe layer on a silicon substrate, a Si-protecting layer on the strained SiGe layer, and an epitaxial Si layer on the Si-protecting layer, wherein a heavily-doped Si layer is provided, at least in between the silicon substrate and the strained SiGe layer, or in between the Si protection layer and the epitaxial Si layer.例文帳に追加

少なくとも、シリコン基板上に、歪みＳｉＧｅ層と、該歪みＳｉＧｅ上にＳｉ保護層と、該Ｓｉ保護層上にエピタキシャルＳｉ層とを具備するシリコンエピタキシャルウェーハにおいて、前記シリコン基板と前記歪みＳｉＧｅ層との間、及び前記Ｓｉ保護層と前記エピタキシャルＳｉ層との間の少なくとも一方の間に高濃度Ｓｉ層を具備することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハ。 - 特許庁

An Si layer and an SiGe layer are formed on the n-type epitaxial layer 3 and the element separation region 4 by epitaxial growth.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層３と素子分離領域４の上にＳｉ層とＳｉＧｅ層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

A Si epitaxial layer is grown on the sidewalls of the finFETs with the hard mask.例文帳に追加

ハードマスクを有するｆｉｎＦＥＴの側壁に、Ｓｉエピタキシャル層を成長させる。 - 特許庁

Thereafter, an N type epitaxial layer 4 is formed so as to cover the whole face of the P type Si substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型Ｓｉ基板１の全面を覆うように、Ｎ型エピタキシャル層４を形成する。 - 特許庁

To carry out epitaxial growth of crystalline silicon nitride film on the surface of Si single crystal.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶表面に結晶性窒化ケイ素膜をエピタキシャル成長する。 - 特許庁