Spin–orbit interactionの英語

One can analyze the spin-orbit interaction of the valence states of a material using EELS.発音を聞く 例文帳に追加

研究者は、EELSを使って物質の価電子状態のスピン-軌道相互作用を解析できる。 - 科学技術論文動詞集

The spin-orbit sum rule works excellently for the actinide 5f states, and this means that we now have an unambiguous probe for the 5f spin-orbit interaction.発音を聞く 例文帳に追加

スピン-軌道総和則はアクチニド5f状態に対して優れて働き、そして、このことは、われわれが今や5fスピン-軌道相互作用に対する確かなプローブを持つということを意味する。 - 科学技術論文動詞集

We will show how electron energy-loss spectra recorded in a TEM may be used to investigate the spin-orbit interaction of the actinide 5f states.発音を聞く 例文帳に追加

われわれは、TEM装置で記録された電子エネルギー損失スペクトルが、どのようにアクチナイドの5f状態のスピン-軌道相互作用を調べるために使われるかを示す。 - 科学技術論文動詞集

A semiconductor channel 2 is provided with a carrier injector 3 and a spin-orbit interaction space gradient generator 4, and a potential control unit 1 is also added to its configuration.例文帳に追加

半導体チャンネル２にキャリア注入部３とスピン軌道相互作用空間勾配生成部４が備わり、その構成に電位制御部１が備わる。 - 特許庁

Due to the potential control unit 1, a carrier is injected to a carrier injector 3 by a carrier injection means such as ohmic contact, so as to cancel potential difference that is generated when electric field gradient is given by the spin-orbit interaction space gradient generator 4.例文帳に追加

この電位制御部１を備えることにより、オーミックコンタクトなどのキャリア注入手段によってキャリア注入部３にキャリアを注入し、スピン軌道相互作用空間勾配生成部４により電場勾配を与えたときに発生する電位差を打ち消す。 - 特許庁

When a gate insulation layer 12 of different thickness is inserted in the y-axis direction, an effective gate voltage being applied to a two-dimensional electron gas channel 14 has a gradient in the spin filter 10, and spin orbit interaction of the two-dimensional electron gas channel 14 beneath a gate electrode 11 causes spatial gradient in the y-axis direction.例文帳に追加

スピンフィルタ１０は、ｙ軸方向に厚さの異なったゲート絶縁層１２を挿入することにより、二次元電子ガスチャネル１４にかかる有効なゲート電圧の勾配が生じるため、ゲート電極１１の下にある二次元電子ガスチャネル１４のスピン軌道相互作用はｙ軸方向に空間的に勾配を生じるようになっている。 - 特許庁

To provide a spin transistor which can control the upward direction and the downward direction of a carrier spin by the interaction of the Rashba spin orbit and branching of a carrier passage, and which controls the size of a drain current by a gate electrode, by using a superconducting junction where the drain current flows, by depending on a spin polarization degree.例文帳に追加

Rashbaスピン軌道相互作用とキャリア経路の分岐により、キャリアスピン上向き下向きを制御することを可能とし、さらにスピン偏極度に依存して、ドレイン電流が流れる超伝導接合を用いることにより、ドレイン電流の大きさをゲート電極で制御するスピントランジスタを実現する。 - 特許庁