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Thermal CVD Systemとは 意味・読み方・使い方
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「Thermal CVD System」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
THERMAL CVD SYSTEM例文帳に追加
熱CVD装置 - 特許庁
THERMAL CVD SYSTEM AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
熱CVD装置および成膜方法 - 特許庁
REDUCED PRESSURE THERMAL CVD SYSTEM AND FILM DEPOSITION METHOD例文帳に追加
減圧熱CVD装置および成膜方法 - 特許庁
THERMAL CVD SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING THIN FILM SEMICONDUCTOR ELEMENT例文帳に追加
熱CVD装置および薄膜半導体素子の製造方法 - 特許庁
A silicon nitride film 16 is formed on the surface of an amorphous silicon layer 14 using a vertical low pressure thermal CVD system.例文帳に追加
縦型減圧式熱CVD装置を用いてアモルファスシリコン層14の表面にシリコン窒化膜16を形成する。 - 特許庁
To provide a thermal CVD system in which a desired film thickness can be obtained with high accuracy, and the thermal load of a substrate can be reduced and which is optimum when used for production of carbon nanotubes.例文帳に追加
所望の膜厚を高精度に得ることができ、基板の熱的負荷を低減できるカーボンナノチューブの作製に用いて最適な熱CVD装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁
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「Thermal CVD System」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 21件
To provide a method for manufacturing a deposition-preventive tool made of a base metal which has a metal thermal-sprayed film of high adhesiveness and can be used for the tool of a manufacturing system such as a CVD system and a PVD system.例文帳に追加
CVD,PVD等の製造装置の治具として使用できる密着力の強い金属溶射膜を持った金属母材の防着治具の製造方法を提供する。 - 特許庁
A plurality of silicon wafers W contained in the reaction tube 11 of a thermal CVD system 1 are heated directly by electromagnetic induction system without using any carbon susceptor.例文帳に追加
熱CVD装置1の反応管11内に収納された複数のシリコンウェーハWを、カーボンサセプタを用いずに電磁誘導方式で直接加熱する。 - 特許庁
To constitute a thermal CVD system so that a graphite nanofiber thin film having uniform film-thickness distribution can be deposited independently of the size and appearance of a substrate.例文帳に追加
熱CVD装置を、被処理基板のサイズや外形に関係なく、膜厚分布の均一なグラファイトナノファイバー薄膜の形成を可能とするように構成する。 - 特許庁
A substrate 100 is set inside a vessel of a thermal CVD system, heated in vacuo by a heater and retained for a prescribed period of time so that catalyst particulates 5 are evenly dispersed on the conductive substrate 1 at a high density.例文帳に追加
基板100を熱CVD装置の容器内にセットし、真空中でヒータにより加熱し、所定時間保持することにより導電性基板1上に触媒微粒子5を高密度で均一に分散するように形成する。 - 特許庁
To provide a film deposition system by which the in-plane temperature distribution of substrates is uniformed between the substrates to suppress variation in film deposition treatment between the substrates when a metal thin film is deposited on the substrate by using a gaseous starting material by means of a thermal CVD.例文帳に追加
原料ガスを用いて基板に熱CVDにより金属薄膜を成膜するにあたって、基板間で基板の面内温度分布を揃え、これにより基板間における成膜処理のばらつきを抑えること。 - 特許庁
To provide a power saving thermal CVD system having a high throughput in which a large number of silicon wafers can be heated up and cooled down in a short time, and to provide a method for producing a thin film semiconductor element using it.例文帳に追加
短時間に多数のシリコンウェーハを加熱でき、かつ短時間で降温できる、省電力でスループットの高い熱CVD装置およびこれを用いた薄膜半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁
Subsequently, a silicon nitride film is formed on a semiconductor substrate 10 using a single wafer low pressure thermal CVD system where the thickness of a film to be formed depends on the coarseness of an underlying layer.例文帳に追加
続いて、下地の疎密により形成される膜の膜厚が異なる枚葉式の減圧熱CVD装置を使用して、半導体基板10上に窒化シリコン膜を形成する。 - 特許庁
To constitute a thermal CVD system for graphite nanofiber thin film deposition so that a gaseous mixture of carbon-containing gas and gaseous hydrogen for use in the thin film deposition process can be reused to decrease the consumption of a gaseous mixture of the carbon-containing gas and the gaseous hydrogen and the running cost of the system can be reduced.例文帳に追加
グラファイトナノファイバー薄膜形成用熱CVD装置を、該薄膜形成プロセスに利用される炭素含有ガスと水素ガスとの再利用により、その混合ガスの消費量を少なくし、装置のランニングコストを低くできるように構成する。 - 特許庁
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