VLS growthとは 意味・読み方・使い方

Nanowires 7 of a first array are, for example, n-type formed by, for example, VLS growth.例文帳に追加

第１のアレイのナノワイヤ７は、例えばｎ型であり、例えばＶＬＳ成長によって形成される。 - 特許庁

A probe 8 is formed on the substrate 2 using a VLS crystal growth method using the metal film 6 as catalyst.例文帳に追加

基板２上には、金属膜６を触媒として、ＶＬＳ結晶成長法により、プローブ８が形成される。 - 特許庁

A Ge nanowire is produced by growing a mixture crystal nanowire of Si and Ge by a vapor-liquid-solid phase (VLS) growth method and coating the filament with an SiO_2 film by oxidation concentration method.例文帳に追加

気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ_2 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。 - 特許庁

By this method, the conductive material is implanted in the concavity part 22 by VLS growth, so the conductive material can be implanted in a short time.例文帳に追加

この方法では、ＶＬＳ成長によって凹部２２に導電材を埋め込むため、短時間で導電材を埋め込むことができる。 - 特許庁

This method comprises: an impurity fixation process for fixing an impurity 24a on the surface of a ground layer 10 exposed at least on the bottom of the concavity part 22; a VLS growth process for VLS-growing the conductive material using the ground layer 10 with the impurity 24a fixed and for implanting the conductive material in the whole concavity part.例文帳に追加

この方法は、凹部２２の少なくとも底面に露出する下地層１０の表面に不純物２４ａを定着させる不純物定着工程と、不純物２４ａが定着した下地層１０を利用して導電材をＶＬＳ成長させて、凹部の全体に導電材を埋め込むＶＬＳ成長工程とを有する。 - 特許庁

Nanoparticles or nanodots by a transition metal atom are formed on a substrate 1 as a growth catalyst 3, and VO_2 nanowire is grown up slender and long along the [110] direction on the surface of the substrate heated under reduced pressure by a gas phase-liquid phase-solid phase (VLS) growth method.例文帳に追加

遷移金属原子によるナノ粒子又はナノドットを成長触媒３として基板１に形成し、減圧下で加熱された基板面に、気相−液相−固相（ＶＬＳ）成長法によって、ＶＯ_2ナノワイヤを［１１０］方向に沿って細長く成長させる。 - 特許庁