Valence Bondとは 意味・読み方・使い方

A silicon-containing insulating film 21 containing P2O3 is formed on a substrate 101 to be deposited, by using a film-forming gas containing a silicon-containing compound, having III-valence phosphorus, at least one valence bond of which is bonded to an oxygen atom, and an inert gas.例文帳に追加

III 価のリンを有し、かつ少なくともリンの結合手の一つに酸素が結合したシリコンリン含有化合物と不活性ガスとを含む成膜ガスを用いて、P２O ３を含むシリコン含有絶縁膜２１を被堆積基板１０１上に形成する。 - 特許庁

The coating film 20 and the hole injection layer 4 are tungsten oxide layers having a thickness of 2 nm or more deposited under certain deposition conditions, so as to have an electronic state where an occupied level exists in a range of bond energy which is 1.8-3.6 eV lower than the lowest bond energy in a valence band.例文帳に追加

被覆膜２０及びホール注入層４は所定の成膜条件で成膜した膜厚２ｎｍ以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。 - 特許庁

This curable inorganic/organic composite composition contains an acidic organic compound having a polymerizable unsaturated bond, a basic compound which neutralizes the acidic organic compound having the polymerizable unsaturated bond, phosphoric acid compounds, and a metallic compound comprising a metal with a valence of two or more.例文帳に追加

本発明の硬化性無機有機複合組成物は、重合性不飽和結合を有する酸性の有機化合物、該重合性不飽和結合を有する酸性の有機化合物を中和する塩基性化合物、リン酸類、及び、２価以上の金属よりなる金属化合物を含有することを特徴とする。 - 特許庁

The coating film 20 and the hole injection layer 4 are tungsten oxide layers having a thickness of 2 nm or more deposited under certain deposition conditions and, in the electron state thereof, an occupied level is made to exist in a range of bond energy which is 1.8-3.6 eV lower than the lowest bond energy in the valence band.例文帳に追加

被覆膜２０及びホール注入層４は所定の成膜条件で成膜した膜厚２ｎｍ以上の酸化タングステン層とし、かつ、その電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させる。 - 特許庁

In the formula (1), M denotes a bivalent or higher valence metal; ← denotes a coordinate bond; R is ≥1C functional group having any of aliphatic, alicyclic and aromatic structures; and n denotes an integer of 2 to 7.例文帳に追加

Ｍ（←ＯＯＣ−Ｒ）ｎ ・・・ 式（１）（上記式（１）において、Ｍは２価以上の多価金属、←は配位結合、Ｒは炭素数が１以上の脂肪族、脂環族、芳香族のいずれかの構造を有する官能基、ｎは２〜７の整数を各々表す。） - 特許庁

The film is formed therein to bring an occupied level within a range of a binding energy lower by 1.8-3.6 eV than the lowest bond energy in the valence band thereof, in an electron state of tungsten oxide, to reduce a hole injection barrier in the buffer layer.例文帳に追加

このとき、酸化タングステンをその電子状態において、価電子帯で最も低い結合エネルギーよりも１．８〜３．６ｅＶ低い結合エネルギーの範囲内に占有準位を存在させるように成膜し、前記バッファ層対するホール注入障壁を低減する。 - 特許庁

Y expresses an aromatic residue of (k+2) valence, P is a linking group selected from a single bond of -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO_2-, -CONH-, and -C(CF_3)_2-, k is an integer of 1-4, and z includes an aromatic residue and -SO_3H group.例文帳に追加

（Ｙは（ｋ＋２）価の芳香族残基を表し、Ｐは −ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＮＨ−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、単結合から選ばれる連結基であり、ｋは１〜４の整数であって、Ｚは芳香残基及び−ＳＯ_３Ｈ基を含む。） - 特許庁

Y expresses an aromatic residue of (k+2) valence, P is a linking group selected from a single bond of -CO-, -O-, -S-, -SO-, -SO_2-, -CONH-, and -C(CF_3)_2-, k is an integer of 1-4, and z includes an aromatic residue and -SO_3H group.例文帳に追加

（Ｙは（ｋ＋２）価の芳香族残基を表し、Ｐは −ＣＯ−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯＮＨ−、−Ｃ（ＣＦ_３）_２−、単結合から選ばれる連結基であり、ｋは１〜４の整数であって、Ｚは芳香族残基及び−ＳＯ_３Ｈ基を含む。） - 特許庁