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acid-etchingとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 酸エッチング法; 酸エッチング
「acid-etching」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 712件
As the etching process, the wet etching or dry etching using the hydrofluoric acid is performed.例文帳に追加
エッチングとしては、フッ酸を用いたウエットエッチング、又はドライエッチングである。 - 特許庁
MIXED ACID LIQUID IN ETCHING AND ETCHING CONTROL METHOD例文帳に追加
エッチングプロセスにおける混酸液およびエッチング制御方法 - 特許庁
This reaction rate limiting type etching is executed with an acid etching liquid containing hydrofluoric acid and nitric acid, and further containing acetic acid.例文帳に追加
反応律速型エッチングはフッ酸及び硝酸を含む酸エッチング液により行われ、酢酸を更に含む。 - 特許庁
ACID ETCHING METHOD, ACID ETCHING TREATMENT DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING ALUMINUM-BASED MEMBER例文帳に追加
酸エッチング方法、酸エッチング処理装置及びアルミニウム系部材の製造方法 - 特許庁
In a succeeding high-accuracy acid etching, the amount of etching is reduced.例文帳に追加
その後の高精度酸エッチングではエッチング量が減少する。 - 特許庁
POST-TREATMENT AGENT FOR ETCHING TREATMENT WITH CHROMIC ACID-SULFURIC ACID MIXED LIQUID例文帳に追加
クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤 - 特許庁
POSTTREATMENT AGENT FOR ETCHING TREATMENT WITH CHROMIC ACID-SULFURIC ACID MIXED LIQUID例文帳に追加
クロム酸−硫酸混液によるエッチング処理の後処理剤 - 特許庁
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「acid-etching」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 712件
Acid etching is carried out following to alkaline etching in the etching process while setting a larger etching margin for the alkaline etching than for the acid etching thus obtaining an improved chemically etched wafer.例文帳に追加
改良ケミカルエッチウェーハ:エッチング工程において、アルカリエッチングのあと酸エッチングを行い、その際、アルカリエッチングのエッチング代を酸エッチングのエッチング代よりも大きくしたウェーハ。 - 特許庁
The etching is carried out by using a mixture acid of hydrofluoric acid and nitric acid and preferably to an etching amount (thickness to be removed) of at least 1 μm.例文帳に追加
フッ酸と硝酸の混酸を用い、エッチング量(除去厚さ)を1μm以上とすることが望ましい。 - 特許庁
The etching agent comprises an aqueous solution containing oxalic acid and a carboxylic acid.例文帳に追加
シュウ酸とカルボン酸を含有する水溶液からなるエッチング剤。 - 特許庁
A chemical wet etching by alkali or acid and a physical dry etching such as a sputter etching are used as the etching method.例文帳に追加
エッチング法としてはアルカリや酸による化学的湿式エッチング、スパッタエッチングなどの物理的ドライエッチングが使用される。 - 特許庁
This method for processing the semiconductor wafer, wherein a chambering step, lapping step, an etching step, and a mirror surface polishing step are performed, is characterized in that, in the etching step, an acid-etching is performed after an alkali etching, in which acid-etching is performed with acid-etching liquid consisting of hydrogen fluoride, nitric acid, phosphoric acid, and water.例文帳に追加
面取り工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程を施す半導体ウエーハの加工方法において、エッチング工程をアルカリエッチングの後、酸エッチングを行うものとし、その際、酸エッチングをフッ酸、硝酸、リン酸、水からなる酸エッチング液で行う半導体ウエーハの加工方法。 - 特許庁
For etching of the nickel film, acid-based pharmaceutical solution is used.例文帳に追加
ニッケル膜のエッチングには、酸系薬液を用いる。 - 特許庁
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