al substrateとは 意味・読み方・使い方

A first interlayer dielectric 3 and an Al alloy film 5 are sequentially deposited on a semiconductor substrate 1 (A).例文帳に追加

半導体基板１上に第１の層間絶縁膜３及びAl合金膜５を順に堆積する（Ａ）。 - 特許庁

This phase shift mask is formed by using the material containing Cr, Al, O and N as the phase shift material on a transparent substrate.例文帳に追加

透明基板上に位相シフト物質としてCr、Al、OおよびNを含む物質を使用したことを特徴とする。 - 特許庁

A base electro-conductive layer 2 and an Al-Hf alloy layer 3 (or a stacked body of the Al-Hf alloy layer 3 and an Al layer) are formed on a substrate 1 in a stacked state.例文帳に追加

基板１の上に下地導電層２とＡl−Ｈf合金層３（又は、Ａl−Ｈf合金層３とＡｌ層との積層体）とを積層して形成する。 - 特許庁

An Al film 11 is formed as a first light shielding film on a transparent substrate 1 and the Al patterns 12 are formed by dry etching this Al film 11.例文帳に追加

透明基板１上に第１の遮光膜としてのＡｌ膜１１を形成し、このＡｌ膜１１をドライエッチングしてＡｌパターン１２を形成する。 - 特許庁

Al ALLOY FILM FOR DISPLAY, THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE AND DISPLAY例文帳に追加

表示装置用Ａｌ合金膜、薄膜トランジスタ基板および表示装置 - 特許庁

This anode substrate of a carbon nanotube (CNT) field emission display used in this application includes: a glass substrate; a plurality of phosphor layers patterned on the glass substrate; a flattened Al film covering the phosphor layers; and a metal sheet having the same potential as that of the Al film, and having a plurality of openings, by covering the Al film, corresponding to the respective phosphor layers.例文帳に追加

ガラス基板と、前記ガラス基板上にパターニングされた複数の蛍光体層と、 前記蛍光体層を覆う平坦化されたAl膜と、前記Al膜と同電位を有し、前記Al膜を覆って複数の開口を有し、前記開口が前記蛍光体層にそれぞれ対応する金属シートとを含むカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）フィールドエミッション・ディスプレイのアノード基板を用いた。 - 特許庁

To provide a treatment method by which noble metals such as Pt, Ru are easily and efficiently separated and recovered together with Al alloy being a substrate, as a method for recovering noble metals such as Pt, R from a recording medium having an Al alloy substrate.例文帳に追加

Al合金基板を有する記録メディアからPt、Ru等の貴金属を回収する方法において、Pt、Ru等の貴金属と共に基板であるAl合金をも簡便かつ効率よく分離して回収できる処理方法を提供する。 - 特許庁

When forming the Al wiring layer ML, energy of a Al ion incident to a substrate WA is set in 30 to 90 eV.例文帳に追加

Ａｌ配線層ＭＬの成膜に際して、基板ＷＡに入射するＡｌイオンのエネルギーを３０〜９０ｅＶとする。 - 特許庁